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CPH-E13/7/4-1S-6P

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
CPH-E13/7/4-1S-6P PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • COIL FORMER HORIZONTAL
  • 制造商
  • ferroxcube
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,500
CPH-E13/7/4-1S-6P 技術(shù)參數(shù)
  • CPH6904-TL-E 功能描述:JFET 2 N-Channel (Dual) 20mA @ 5V 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6pF @ 5V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 功率 - 最大值:700mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6636R-TL-W 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6635-TL-H 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V,20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):400mA,1.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6616-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6615-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A,1.8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):187pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z CP-HRMJU.FLJC-1A CPHS-EP13-1S-10P-Z CPHS-EP13-2S-10P-Z CPH-U15/11/6-1S-4P CPH-U15/11/6-2S-4P CPH-U20/16/7-1S-4P CPI0805E3R3R-10 CPI0805E4R7R-10 CPI0805F2R2R-10 CPI0805G1R5R-10 CPI0805G1R8R-10 CPI0805H1R0R-10 CPI0805H1R2R-10 CPI0805IR82R-10 CPI0805JR47R-10 CPI0805JR68R-10
配單專家

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