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CSD22205LT

配單專家企業(yè)名單

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批號
價格
說明
操作

CSD22205LT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業(yè)執(zhí)照
12990
Ti
(YMG)
20
-
瑞智芯只有原裝

CSD22205LT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD22205LT
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD22205LT
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質：營業(yè)執(zhí)照
53192
Texas Instruments
SMD
22+
-
優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

CSD22205LT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Texas Instruments
4-XFLGA
21+
-
質量保真，價格實惠，假一罰十

CSD22205LT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29096
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD22205LT
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
3643
TI
DSBGA
2205+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
P 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
8V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
7.4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.05V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
-6V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1390pF @ 4V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
9.9 毫歐 @ 1A， 4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
4-PICOSTAR
封裝/外殼
4-XFLGA
標準包裝
1

CSD22205LT 技術參數(shù)

CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24.6nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD22202W15 功能描述:MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.2 毫歐 @ 2A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 4V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD20248 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 24.02"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售容器類型:盒大小/尺寸:20.000" 長 x 24.016" 寬（508.00mm x 610.00mm）高度:7.992"（203.00mm）面積（L x W）:480 in2（3097 cm2）設計:鉸鏈式門，蓋材料:金屬 - 鋼顏色:灰色厚度:18 號特性:密封墊，壁裝等級:IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運送重量:31 磅（14.1kg）標準包裝:1 CSD20208SS 功能描述:BOX S STEEL NAT 20"L X 20"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售容器類型:盒大小/尺寸:20.000" 長 x 20.000" 寬（508.00mm x 508.00mm）高度:7.992"（203.00mm）面積（L x W）:400 in2（2581 cm2）設計:鉸鏈式門，蓋材料:金屬，不銹鋼顏色:天然厚度:16 號特性:密封墊，不銹鋼鉸鏈，壁裝等級:IP66，NEMA 3R，4，4X，12，13，UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運送重量:30 磅（13.6kg）標準包裝:1 CSD20208 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售容器類型:盒大小/尺寸:20.000" 長 x 20.000" 寬（508.00mm x 508.00mm）高度:7.992"（203.00mm）面積（L x W）:400 in2（2581 cm2）設計:鉸鏈式門，蓋材料:金屬 - 鋼顏色:灰色厚度:18 號特性:密封墊，壁裝等級:IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運送重量:28 磅（12.7kg）標準包裝:1 CSD23285F5 CSD23285F5T CSD23381F4 CSD23381F4T CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425