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CSD88584Q5DCT

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD88584Q5DCT
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
26000
TI
VSON-22
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

CSD88584Q5DCT
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Texas Instruments
MOSFET 2 N-CH 40V 22
22+
-

CSD88584Q5DCT
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
27
TEXAS INSTRUMENTS
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

CSD88584Q5DCT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
Ti
VSON-CLIP (DMM)
19
-
瑞智芯只有原裝

CSD88584Q5DCT
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
TI
22+
-
原裝正品

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1

您是不是要找： CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M

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CSD88584Q5DCT PDF下載

功能描述
MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
標(biāo)準
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
0.95 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
88nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
12400pF @ 20V
功率 - 最大值
12W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
22-PowerTFDFN
供應(yīng)商器件封裝
22-VSON-CLIP (5x6)
標(biāo)準包裝
1

CSD88584Q5DCT 技術(shù)參數(shù)

CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準包裝:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準包裝:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準包裝:1 CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（5x3.5）標(biāo)準包裝:1 CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT