CY62157DV30LL-55BVXI

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功能描述
IC SRAM 8MBIT 55NS 48VFBGA
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
MoBL®
標準包裝
1,000
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
移動 SDRAM
存儲容量
256M（8Mx32）
速度
133MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.95 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
90-VFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
90-VFBGA（8x13）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
557-1327-2

CY62157DV30LL-55BVXI 技術(shù)參數(shù)

CY62157DV30LL-55BVXAT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157DV30LL-55BVXA 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157DV30L-55ZSXET 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157DV30L-55ZSXE 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157DV30L-55BVXET 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157EV18LL-45BVXI CY62157EV18LL-45BVXIT CY62157EV18LL-55BVXI CY62157EV18LL-55BVXIT CY62157EV30LL-45BVI CY62157EV30LL-45BVIT CY62157EV30LL-45BVXA CY62157EV30LL-45BVXAT CY62157EV30LL-45BVXI CY62157EV30LL-45BVXIT CY62157EV30LL-45ZSXA CY62157EV30LL-45ZSXAT CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXIT CY62157EV30LL-45ZXA CY62157EV30LL-45ZXAT CY62157EV30LL-45ZXI CY62157EV30LL-45ZXIT