CL21B184KOANNNC三星電容 0.18UF 16V 10% X7R 0805

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貼片電容產(chǎn)品封裝尺寸(示圖)
 
 
 

貼片電容封裝規(guī)格參數(shù)
Discrete capacitors - General purpose
Case size designation		Dimensions in mm
Inch-based	Metric	L1	W	L2 / L3 min	L2 / L3 max	L4 min
0201	0603M	0.6 ±0.03	0.3 ±0.03	0.10	0.20	0.20
0402	1005M	1.0 ±0.05	0.5 ±0.05	0.15	0.30	0.40
0603	1608M	1.6 ±0.10	0.8 ±0.10	0.20	0.60	0.40
0805	2012M	2.0 ±0.10 (1)	1.25 ±0.10 (1)	0.25	0.75	0.55
		2.0 ±0.20 (2)	1.25 ±0.20 (2)	0.25	0.75	0.55
1206	3216M	3.2 ±0.15 (1)	1.6 ±0.15 (1)	0.25	0.75	1.40
		3.2 ±0.30 (2)	1.6 ±0.20 (2)	0.25	0.75	1.40
1210	3225M	3.2 ±0.20 (1)	2.5 ±0.20 (1)	0.25	0.75	1.40
		3.2 ±0.40 (2)	2.5 ±0.30 (2)	0.25	0.75	1.40
1808	4520M	4.5 ±0.40	2.0 ±0.30	0.25	0.75	2.20
1812	4532M	4.5 ±0.20 (1)	3.2 ±0.20 (1)	0.25	0.75	2.20
		4.5 ±0.40 (2)	3.2 ±0.40 (2)	0.25	0.75	2.20

 
Note: 1. Dimension for size 0805 to 1812, C ≤ 100 nF
          2. Dimension for size 0805 to 1812, C > 100 nF
 
 
 
貼片電容詳細說明
 
貼片電容，又稱片式電容、片狀獨石陶瓷電容、疊層貼片陶瓷電容。通常根據(jù)其使用材質(zhì)分為：NPO、X7R、X5R、Y5V四個系列。
 
1. NPO貼片電容
 
此類介質(zhì)材料的貼片電容采用Ⅰ級瓷，通常使用Ag/Pd做內(nèi)電極，Ni/Sn做端電極，TC不隨溫度改變而改變，屬溫度補償型產(chǎn)品，精度通常為±5％，更小容值的可低至±0.25PF、±0.1PF。這種產(chǎn)品因具有低損耗、電容浮動補償、高穩(wěn)定性等特點。通常被應用于低損耗，穩(wěn)定性要求高的高頻電路中；如：振蕩器、濾波器等產(chǎn)品中。
 
2. X7R、X5R、Y5V貼片電容
 
此類介質(zhì)材料的貼片電容采用Ⅱ級瓷，使用Ni做內(nèi)電極，Ni/Sn做端電極，精度依次為±10％、±10％（或±20％）、－20％～＋80％。與NPO材質(zhì)相比其具有較高的介電常數(shù)，具有更高的容量，這三個系列的產(chǎn)品損耗較高，容值隨溫度變化較大。適用于容量范圍廣，溫度變化不大的電路中。如：退耦、耦合、隔直、鑒頻、旁路等電路中。
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