LED 玻絲燈,燈絲燈 鎢絲燈 RC阻容電路專用貼片電容1812

批發(fā)數(shù)量 ≥1000
梯度價(jià)格 0.46
型號(hào)
1812-224-334-474-564-684-105
品牌
CCT/TDK
介質(zhì)材料
陶瓷(瓷介)
應(yīng)用范圍
高壓
外形
長方形
功率特性
中功率
頻率特性
中頻
調(diào)節(jié)方式
固定
引線類型
無引線
允許偏差
±10(%)
耐壓值
3000(V)
等效串聯(lián)電阻(ESR)
標(biāo)準(zhǔn)(mΩ)
標(biāo)稱容量
10PF-100UF(uF)
損耗
標(biāo)準(zhǔn)
額定電壓
6.3V-5KV(V)
絕緣電阻
標(biāo)準(zhǔn)(mΩ)
溫度系數(shù)
-55-+125度

NPO電容器
 NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
  封裝DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容
NPO的特性及主要用途
屬1類陶瓷介質(zhì),電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨時(shí)間、溫度、電壓變化,適用于高可靠、高穩(wěn)定的高額、特高頻場(chǎng)合。
特性:
電容范圍1pF~0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)
環(huán)境溫度:-55℃~+125℃組別:CG
溫度特性:0±30ppm/℃
損耗角正切值:15x10-4
絕緣電阻:≥10GΩ
抗電強(qiáng)度:2.5倍額定電壓5秒 浪涌電流:≤50毫安
 
X7R材質(zhì)電容器
    X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。
    X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。
下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

封裝DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
X7R的特性及主要用途
屬2類陶瓷介質(zhì),電氣性能較穩(wěn)定,隨時(shí)間、溫度、電壓的變化,其特性變化不明顯,適用于要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以下的頻率場(chǎng)合。
特性:
電容范圍300pF~3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)
環(huán)境溫度:-55℃~+125℃組別:2X1
溫度特性:±15%
損耗角正切值:100Volts: 2.5% max
50Volts: 2.5% max
25Volts: 3.0% max
16Volts: 3.5% max
10Volts: 5.0% max
絕緣電阻:≥4GΩ或≥100S/C (單位:MΩ)
抗電強(qiáng)度:2.5倍額定電壓5秒 浪涌電流:≤50毫安
 
Y5V材質(zhì)電容器
   Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示

封裝DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
 
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍-30℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -82%
介質(zhì)損耗最大5%
Y5V的特性及主要用途
屬2類陶瓷介質(zhì),具有很高的介電系數(shù),能較容易做到小體積,大容量,其容量隨溫度變化比較明顯,但成本較低。廣泛應(yīng)用于對(duì)容量,損耗要求不高的場(chǎng)合。
特性:
電容范圍1000pF~22uF (0.3V 1KHz)
環(huán)境溫度:-30℃~+85℃
溫度特性:±22%~-82%
損耗角正切值:50Volts: 3.5%
25Volts: 5.0%
16Volts: 7.0%
絕緣電阻:≥4GΩ或≥100S/C (單位:MΩ)
抗電強(qiáng)度:2.5倍額定電壓5秒 浪涌電流:≤50毫安
 
NPO電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨溫度、時(shí)間、電壓的改變而改變,適用于對(duì)穩(wěn)定性、
 可靠性要求較嚴(yán)格的場(chǎng)合,由于電氣性能穩(wěn)定,可很好的工作在高頻、特高頻、甚高頻頻段;X7R電氣性能較穩(wěn)定,隨溫度、時(shí)間、電壓的變化,其特性變化并不明顯,適用于要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10兆周以下的中頻場(chǎng)合;Y5V具有很高的介電系數(shù),常用于生產(chǎn)小體積,大容量的電容器,其容量隨溫度改變比較明顯,但成本較低,仍廣泛用于對(duì)容量,損耗要求不高的耦合、濾波、旁路等電路場(chǎng)合.
內(nèi)電極:它與陶瓷介質(zhì)交替疊層,提供電極板正對(duì)面積;
        PME-Ag/Pd:主要在X7R和Y5V中高壓MLCC產(chǎn)品系列中,材料成本高。
        BME-Ni:目前大部分產(chǎn)品均為Ni內(nèi)電極,材料成本低,但需要還原氣氛燒結(jié)。
 端電極
       基 層:銅金屬電極或銀金屬電極,與內(nèi)電極相連接,引出容量。
       阻擋層:鎳鍍層,熱阻擋作用,可焊的鎳阻擋層能避免焊接時(shí)Sn層熔落。
       焊接層:Sn鍍層,提供焊接金屬層。