加工定制:否 | 品牌:全系列光電元件 傳感器 接收發(fā)射 | 型號(hào):全系列光電元件 傳感器 接收發(fā)射 | 種類:光學(xué)發(fā)射器件 | 波段范圍:中紅外 | 運(yùn)轉(zhuǎn)方式:連續(xù)式 | 激勵(lì)方式:電激勵(lì)式 | 工作物質(zhì):固體 | 光路徑:透過(guò)型外光路 | 輸出形式:光敏器件型 | 傳輸信號(hào):高線性型 | 速度:高速 | 通道:單通道 | 輸出波長(zhǎng):1(nm) | 線寬:1(mm)
≥40 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323
≥1 PCS
¥0.09
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Samsung/三星 | 型號(hào):KSC2859-Y-MTF | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:300
≥3000 PCS
¥0.15
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SB710-R | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.5 | 截止頻率fT:200
≥3000 PCS
¥0.13
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):BSV52 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:400 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 放大倍數(shù)hFE:40~120 | 擊穿電壓VCEO:12
≥3000 PCS
¥0.17
產(chǎn)品類型:穩(wěn)壓管 | 是否進(jìn)口:是 | 品牌:SEMTECH/先科 | 型號(hào):ZMM120VST(1/2w) | 備注:0 | 用途:0 | 主要參數(shù):0 | 加工定制:否
≥1 K
¥25.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SB710A-R | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:-0.5 | 截止頻率fT:200 | 介質(zhì)材料:其他
≥3000 PCS
¥0.13
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:AUK | 型號(hào):2SA1980SFY | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 截止頻率fT:80
≥3000 PCS
¥0.12
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SD1421ED | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 封裝材料:塑料封裝
≥3000 PCS
¥0.45
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SD874A-R | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:200 | 介質(zhì)材料:其他
≥1000 PCS
¥0.35
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:80 | 擊穿電壓VCBO:120 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:200 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
5000-9999 PCS
¥5.80
10000-49999 PCS
¥5.70
≥50000 PCS
¥5.60
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):SS8050 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-323
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):C3200 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:625m | 擊穿電壓VCBO:120 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:100m | 截止頻率fT:100+ | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
≥99 PCS
¥0.05
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):7MBP150RA120 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:全新原裝 | 規(guī)格:150A/1200V/IPM/7U
≥1 個(gè)
¥10.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SA1873-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 截止頻率fT:80 | 產(chǎn)品類型:其他
≥3000 PCS
¥0.25
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SA1832FV | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.03 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 截止頻率fT:80
≥8000 PCS
¥0.13
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SA1618-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 截止頻率fT:80
≥3000 PCS
¥0.25
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SA1586-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 截止頻率fT:80
≥3000 PCS
¥0.11
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:臺(tái)產(chǎn) | 型號(hào):2SA1162Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 截止頻率fT:80
≥3000 PCS
¥0.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SB766-R | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:-1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:200 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:-25
≥1000 PCS
¥0.35