應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222A | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA1837，2SC4793 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220F | 集電極最大耗散功率PCM:25 | 擊穿電壓VCBO:230 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:N/P型 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222 LMBT2222ALY1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-23 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 是否提供加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222 1P | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:BRIGHT/佰鴻 | 型號:貼片三極管2N2222A MMBT2222 打字1P SOT-23 NXP 100個5元26元1K

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222 1P | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:帶阻尼 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電/國產(chǎn) | 型號:MMBT2222 1P SOT-23 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

產(chǎn)品類型:其他 | 是否進口:否 | 品牌:LGM | 型號:MMBT2222 | 材料:硅(Si) | 工作溫度范圍:技術(shù)支持（℃） | 功耗:技術(shù)支持 | 批號:00015 | 用途:貼片三極管 | 加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:藍箭 | 型號:MMBT2222A | 材料:硅(SI) | 封裝形式:92封裝

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222ALT1 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:250m | 集電極最大允許電流ICM:600m | 截止頻率fT:0.0001

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222 2N2222 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:N/P型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222A=1P | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-23

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:J13007-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:ST/意法 | 型號:BTA41-600BRG | 控制方式:雙向 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關(guān)斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:高頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:1（A） | 反向重復(fù)峰值電壓:1（V） | 封裝形式:TOP-3P | 電壓:600 | 電流:41

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:長電 | 型號:2SA812-M6 2SC1623-L6 2SC2712-LY-LG BC846-1A BC847- | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:N/P型 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 屬性:.

應(yīng)用范圍:帶阻尼 | 品牌:長電 | 型號:MMBT2222 | 材料:硅(Si)

類型:其他IC | 品牌:NS/國半 | 型號:LM78H12K | 功率:1 | 用途:音響 | 封裝:TO-3P | 批號:2013+