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瓷介電容器特點(diǎn)及用途
瓷介電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)，屬于陶瓷電容中的一種。并在其表面燒滲上銀層作為電極的電容器。因陶瓷材料的介電系數(shù)較大，所以可以做得容量很大，體積很小；瓷介電容器穩(wěn)定性好；具有優(yōu)良的絕緣性能；溫度系數(shù)范圍很寬，在電路中常作為溫度補(bǔ)償電容器。其缺點(diǎn)是機(jī)械強(qiáng)度低，易碎易裂。
根據(jù)陶瓷成分不同可以分為高頻瓷介電容器雙稱（高頻用CC表示，也稱I型）和低頻瓷介電容器（低頻用CT表示，也稱II型）。
高頻瓷介電容器（CC）：其特點(diǎn)是體積小、損耗低，電容對(duì)頻率、溫度穩(wěn)定性都較高，常用于要求損耗小，電容量穩(wěn)定的場(chǎng)合，并常在高頻電路中用作調(diào)諧、振蕩回路電容器和溫度補(bǔ)償電容器。高頻瓷介電容的容量在零點(diǎn)幾皮法至幾百皮法之間，耐壓常見的有160V、250V、500V幾種，誤差常見有±5%、±10%、±20%、+80%-20%幾種。
低頻瓷介電容器（CT）：其特點(diǎn)是體積小、損耗大，電容對(duì)頻率、溫度穩(wěn)定性都較差，常用于對(duì)損耗及容量穩(wěn)定性要求不高的低頻電路。其容量在幾百皮法到幾十微法之間，額定直流工作電壓常見有0.5KV、1KV、2KV、5KV等幾種。誤差常見有±1%、±3%、±5%、±10%、±20%。
2.技術(shù)指標(biāo)
電容量 18pF～0.22UF 25±3℃
允許偏差 ±1（F）、±3（I）、±5（J）、±10（K）、±20（M）、Z(+80%-20%)
使用溫度 -25℃～85℃
溫度特性 Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R
額定電壓 50Vdc、100Vdc、500Vdc、1000Vdc、2000Vdc、3000Vdc、5000Vdc
損耗角正切值 (tgδ) Y5P/Y5U : tgδ≤2.0%
Y5V: tgδ≤2.5%
BN: tgδ≤0.5%
Y5R: tgδ≤0.35%
SL:Cr<30pF,Q≥400+20Cr;Cr≥30pF,Q≥1000
Ⅰ類:1MHz,1±0.2Vrms Ⅱ類:1KHz,1±0.2Vrms 25±3℃
絕緣電阻 CC IR≥10000MΩ CT IR≥4000MΩ 于端子間施加直流500V電壓，時(shí)間為1分鐘 25±3℃
一類/二類瓷 Ur<630V (2.5Ur) 630V≤Ur<3KV (1.5Ur+500Vdc ) Ur≥3KV(1.5Ur)
三類瓷 Ur<100V (1.5Ur) Ur≥100V (1.25Ur)
耐電壓 于端子間施加一定的直流電壓3~5秒鐘無(wú)擊穿，無(wú)飛?。娏飨抻?0mA以內(nèi)）
封裝 酚醛樹脂(黃色）/環(huán)氧樹脂（藍(lán)色）
包裝 散裝/編帶