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- ME松木場效應(yīng)管MOS管2N60 TO-252封裝
  
  品牌:Matsuki Electric(日本松木電機(jī)) | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價(jià)
- AOTF2N60AOS美國萬代MOS場效應(yīng)管，進(jìn)口
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOTF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應(yīng)用范圍:其他
- 詢價(jià)
- AOT2N60 AOS美國萬代MOS場效應(yīng)管，進(jìn)口
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOT2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應(yīng)用范圍:其他
- 詢價(jià)
- 無葉風(fēng)扇用場效應(yīng)管 MOS管 2N60 TO-251
  
  品牌:YD | 型號:2N60 TO-251 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- 仙童MOS管FQPF2N60C
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價(jià)
- 仙童MOS管FQP2N60C
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價(jià)
- 仙童MOS管FQD2N60C
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 詢價(jià)
- STW25NM50N.STW25NM60N ST.場效應(yīng)
  
  品牌:ST/意法 | 型號:STW25NM50N，STW25NM60N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道 | 1:2
- ≥1 個(gè)
  
  ￥7.00
- 詢價(jià)
- MOS管，SVD2N60D
  
  品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD2N60D | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-252
- ≥6 PCS
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 2N60 TO-252/251
  
  品牌:國產(chǎn) | 型號:2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- FQP2N60C，仙童N溝道場效應(yīng)/Mos管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- FQPF2N60C，仙童N溝道場效應(yīng)/Mos管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- FQU2N60C，仙童N溝道場效應(yīng)/Mos管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)FQU2N60C/FQPF2N60C/FQP2N60C/ TO-220/TO-251
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU2N60C/FQP2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- AOTF2N60 AOS美國萬代MOS場效應(yīng)管，進(jìn)口
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOTF2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 應(yīng)用范圍:其他
- 詢價(jià)
- AOU2N60 AOS美國萬代MOS場效應(yīng)管，進(jìn)口
  
  類型:其他IC | 品牌:Alpha/阿爾法 | 型號:AOU2N60 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:0 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 應(yīng)用范圍:其他
- 詢價(jià)
- STQ2NK60ZR-AP場效應(yīng)/Mos管，ST
  
  品牌:ST/意法 | 型號:STQ2NK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- STQ2HNK60ZR-AP場效應(yīng)/Mos管，ST
  
  品牌:ST/意法 | 型號:STQ2HNK60ZR-AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- RENESAS/瑞薩貼片場效應(yīng)管 K2925 2SK2925 2SK2925STR60V 10A
  
  類型:其他IC | 品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:2SK2925STR K2925 2SK2925 | 功率:. | 用途:UNI/一般用途 | 封裝:SOT252 | 批號:. | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET)
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口MOS管 2N60
  
  品牌:FIRST | 型號:FIR2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.68
- 詢價(jià)

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