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CCT|將電解電容器更換為MLCC的指南
電子設(shè)備中使用有多個(gè)電容器。鋁電解電容器與鉭電解電容器等常用于需要大靜電容量的用途中，但其存在難以實(shí)現(xiàn)小型低背形狀，且波紋電流導(dǎo)致的自己發(fā)熱溫度較高等問(wèn)題。
但近年來(lái)，隨著MLCC電容值的不斷增加，使用于電源電路等的各種電解電容器更換為MLCC成為了可能。
通過(guò)更換為MLCC，其小型低背形狀能夠節(jié)省空間，同時(shí)還有抑制波紋、提高可靠性、長(zhǎng)壽命化等各種優(yōu)點(diǎn)。但MLCC的ESR(等效串聯(lián)電阻)較小的特點(diǎn)卻起到了反效果，由于會(huì)產(chǎn)生異常振動(dòng)以及反共振的情況，因此在更換時(shí)需要格外注意。
1、為何現(xiàn)在要將電解電容器更換為MLCC
隨著技術(shù)的進(jìn)步，數(shù)10～100μF以上的大容量MLCC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化，從而可用其更換電解電容器。
電解電容器的壽命為10年，但幾乎沒(méi)有任何要素會(huì)縮短MLCC的壽命。
2、降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的更換
輸出電容器中電解電容器也不斷被更換為MLCC
3、去耦電容器（旁路電容）的更換
使用模擬電路等更換去耦電容器的情況越來(lái)越多。
CCT|更換為MLCC的事例去耦電容器（旁路電容）
1、去耦電容器（旁路電容）的更換
以往在模擬電路中，電解電容器與MLCC(積層貼片陶瓷片式電容器))會(huì)用于去耦而進(jìn)行并聯(lián)，但大容量MLCC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化后，將電解電容器更換為MLCC的情況越來(lái)越多。
尤其由于鋁電解電容器的ESR較大，因此降低阻抗需要較大的容量。但MLCC擁有低ESR的特點(diǎn)，因此無(wú)需像鋁電解電容器一樣大的容量。同時(shí)，MLCC由于其小型低背的形狀，在更換后可使電路線路板節(jié)省空間，同時(shí)還擁有長(zhǎng)壽命，可靠性優(yōu)異等優(yōu)點(diǎn)。
注：去耦電容器
IC的電源線中并聯(lián)連接有電容器。這是因?yàn)殡娫淳€中存在電路圖中無(wú)法標(biāo)識(shí)的阻抗，它會(huì)使電源電壓發(fā)生變動(dòng)，使電路錯(cuò)誤工作或在電路間引起干擾。
因此將電容器進(jìn)行并聯(lián)，在通過(guò)其充放電抑制電壓變動(dòng)的同時(shí)，利用使交流通過(guò)的電容器的性質(zhì)將噪音旁通至地線層側(cè)。這就稱為去耦電容器（又被稱為旁路電容）。
去耦用途中，在低頻率到高頻率的大范圍頻率頻帶，呈現(xiàn)低阻抗的電容器較為理想，但在現(xiàn)實(shí)中，電容器阻抗-頻率特性呈V型曲線。
位于V字谷底位置的頻率稱為自我共振頻率(SRF)，起到電容器作用的是自我共振頻率以下的部分。因此，在去耦用途中，一般通過(guò)并聯(lián)特性不同的電容器來(lái)覆蓋大范圍頻率頻帶。
陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢(shì)：
1．可以用做出小體積大容量的產(chǎn)品。
2。有助于提高生產(chǎn)效率，可以自動(dòng)化生產(chǎn)。
3.使用貴金屬生產(chǎn)，高穩(wěn)定性，耐高溫，可靠性好，壽命長(zhǎng)。
4.可以替代CBB，鋁電解，使電子產(chǎn)品小型化，節(jié)省空間。產(chǎn)品更美觀，性能更優(yōu)越。
5。陶瓷電ESR小，可以用在部分高頻電路，產(chǎn)品工作效率更高。
高壓貼片電容的特性：
1.利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴(kuò)大
2.單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性
3.極高的精確度，在進(jìn)行自動(dòng)裝配時(shí)有高度的準(zhǔn)確性
4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無(wú)漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計(jì)
6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長(zhǎng)，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源
工作溫度范圍: -55～125℃
額定電壓: 100VDC～3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范圍: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
絕緣電阻: 10GΩ或500/C Ω取兩者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5%一個(gè)decade時(shí)間
介質(zhì)電耐電壓：100V ≤ V＜500V :200%
額定電壓500V ≤ V＜1000V :150%額定電壓1000v≤ V :120%額定電壓
介質(zhì)耐電壓：100V-1000V范圍內(nèi)，可承受1.5倍額定電壓。1000V以上：可承受1.2倍額定電壓。
電壓越高，所能做出的容量越低，生產(chǎn)周期4－6周
(CCT) 宸遠(yuǎn)科技 陶瓷貼片電容規(guī)格：
英制：0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225 2211（上下英公規(guī)格相對(duì)應(yīng)）
公制：2012 3216 3225 4520 4532 4563 5750 5763 5728（上下英公規(guī)格相對(duì)應(yīng)）
低壓：6.3V、10V、16V、25V、35V、45V、50V、63V、
中壓：100V、150V、200V、250V、400V、450V、500V、630V
高壓：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV
容值：1PF（皮法）—220UF（微法）
材質(zhì)：NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V
精度：±5%（J檔）±10%（K檔）±20%（M檔）
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