詳細(xì)信息
溫馨提示：圖片僅供參考，詳情來(lái)電或旺旺咨詢。
1.用氧化鈦,鈦酸鍶等材料經(jīng)鍍銀等過(guò)程制成瓷片并以此作為介質(zhì)制成的電容器.常被稱為"瓷片電容或者陶瓷電容"
2.瓷片電容一個(gè)包裝為1000個(gè)(即1K),請(qǐng)客戶按此包裝為遞增原則采購(gòu)!
3.常用類型的瓷片電容按片徑分為3.2MM和5.2MM的直徑,請(qǐng)客戶根據(jù)實(shí)際需要選購(gòu),需要數(shù)量不足一個(gè)包裝的,單價(jià)和數(shù)量請(qǐng)先聯(lián)系客服!
4.只想購(gòu)買樣品的客戶請(qǐng)自行承擔(dān)快遞費(fèi),常用型樣品(不超過(guò)10個(gè))免費(fèi),非常用型樣品敝司將酌情收取樣品費(fèi)!
5.散裝瓷片電容適用于手工插件，若要機(jī)插原料請(qǐng)選擇編帶瓷片電容。
1 定義
瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
2 分類
瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
按瓷介電容電介質(zhì)又分:1類電介質(zhì)(NP0,C0G),2類電介質(zhì)(X7R,2X1)和3類電介質(zhì)(Y5V,2F4)瓷介電容器。EIA RS-198。
3 優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定，絕緣性好，耐高壓
缺點(diǎn)：容量比較小
4 作用
MLCC(1類)—微型化,高頻化,超低損耗,低ESR,高穩(wěn)定,高耐壓,高絕緣,高可靠,無(wú)極性,低容值,低成本,耐高溫.主要應(yīng)用于高頻電路中.
MLCC(2類)—微型化,高比容,中高壓,無(wú)極性,高可靠,耐高溫,低ESR,低成本.主要應(yīng)用于中,低頻電路中作隔直,耦合,旁路和濾波等電容器使用。
5 高壓
高壓瓷片電容就是以陶瓷材料為介質(zhì)的圓板電容器，在“瓷片”電容器中一般DC50v以下叫低壓，DC100V~500V為中高壓，DC1000v~6000v和為高壓，安規(guī)Y電容也是屬于高壓，DC6000v以上為超高壓。
高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點(diǎn)，適用于高壓旁路和耦合電路中，其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質(zhì)損耗，特別適合在電視接收機(jī)和掃描等電路中使用。
6 識(shí)別
瓷片電容的識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、納法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000納法 (nF)，1納法=1000皮法(pF)
容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10 μF/16V
容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù)，它們的單位都是pF。
如：102表示標(biāo)稱容量為1000pF。
221表示標(biāo)稱容量為220pF。
224表示標(biāo)稱容量為22x10(4)pF。
在這種表示法中有一個(gè)特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí)，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來(lái)表示容量大小。
如：229表示標(biāo)稱容量為22x(10-1)pF=2.2pF。
允許誤差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片電容為104J表示容量為0.1 μF、誤差為±5%