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電容使用的四大誤區(qū)： ●電容容量越大越好。 很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補償?shù)哪芰υ綇姟Ｇ也徽f電容容量的增大帶來的體積變大，增加成本的同時還影響空氣流動和散熱。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感，電容放電回路會在某個頻點上發(fā)生諧振。在諧振點，電容的阻抗小。因此放電回路的阻抗最小，補充能量的效果也最好。但當頻率超過諧振點時，放電回路的阻抗開始增加，電容提供電流能力便開始下降。電容的容值越大，諧振頻率越低，電容能有效補償電流的頻率范圍也越小。從保證電容提供高頻電流的能力的角度來說，電容越大越好的觀點是錯誤的，一般的電路設(shè)計中都有一個參考值的。 ●同樣容量的電容，并聯(lián)越多的小電容越好， 耐壓值、耐溫值、容值、ESR(等效電阻)等是電容的幾個重要參數(shù)，對于ESR自然是越低越好。ESR與電容的容量、頻率、電壓、溫度等都有關(guān)系。當電壓固定時候，容量越大，ESR越低。在板卡設(shè)計中采用多個小電容并連多是出與PCB空間的限制，這樣有的人就認為，越多的并聯(lián)小電阻，ESR越低，效果越好。理論上是如此，但是要考慮到電容接腳焊點的阻抗，采用多個小電容并聯(lián)，效果并不一定突出。 ●ESR越低，效果越好。 結(jié)合我們上面的提高的供電電路來說，對于輸入電容來說，輸入電容的容量要大一點。相對容量的要求，對ESR的要求可以適當?shù)慕档汀Ｒ驗檩斎腚娙葜饕悄蛪?，其次是吸收MOSFET的開關(guān)脈沖。對于輸出電容來說，耐壓的要求和容量可以適當?shù)慕档鸵稽c。ESR的要求則高一點，因為這里要保證的是足夠的電流通過量。但這里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR電容會引起開關(guān)電路振蕩。而消振電路復雜同時會導致成本的增加。板卡設(shè)計中，這里一般有一個參考值，此作為元件選用參數(shù)，避免消振電路而導致成本的增加。 ●好電容代表著高品質(zhì)。 “唯電容論”曾經(jīng)盛極一時，一些廠商和媒體也刻意的把這個事情做成一個賣點。在板卡設(shè)計中，電路設(shè)計水平是關(guān)鍵。和有的廠商可以用兩相供電做出比一些廠商采用四相供電更穩(wěn)定的產(chǎn)品一樣，一味的采用高價電容，不一定能做出好產(chǎn)品。衡量一個產(chǎn)品，一定要全方位多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的夸大 歡迎光臨：臺州頂峰電器有限公司 BSMJ全覽 DFMJ全覽 無功補償裝置及元件 | |||||||||
DFFK系列容性無觸點開關(guān)，又稱復合投切開關(guān)，是一種能夠?qū)﹄娏Σ⒙?lián)電容器進行快速投切的電子型功率器件模塊，其電氣結(jié)構(gòu)主要由大功率反并聯(lián)晶閘管模塊，隔離電路、觸發(fā)電路、同步電路保護電路及驅(qū)動電路組成，并配有控制開關(guān)導通或截止的接線端子，控制邏輯電壓OV（截止）、12V導通。本開關(guān)具有安裝簡單，維護方便，響應(yīng)速度快，投切無涌流，工作無噪音，運行穩(wěn)定可靠，缺相保護等特點，是無功功率動態(tài)補償裝置用于投切電容器組的理想器件?，F(xiàn)頂峰廠家誠招全國代理，經(jīng)銷商，敬請來電咨詢。 | |||||||||
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