CL21C470JBANNNC三星陶瓷貼片電容 0805三星電容47pF ±5% 50V

批發(fā)數(shù)量 ≥4000PCS
梯度價格 0.05
型號
CL21C470JBANNNC
品牌
Samsung/三星
介質(zhì)材料
陶瓷(瓷介)
應(yīng)用范圍
濾波
外形
長方形
功率特性
小功率
頻率特性
低頻
調(diào)節(jié)方式
固定
引線類型
無引線
允許偏差
±5(%)
耐壓值
50(V)
等效串聯(lián)電阻(ESR)
1(mΩ)
損耗
0.01
額定電壓
50(V)
絕緣電阻
0(mΩ)
溫度系數(shù)
25℃
標稱容量
0.000047
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常見品牌貼片電容型號對應(yīng)表 :
 



陶瓷區(qū)別:

  NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

不同種類介紹:

一NPO電容器

  NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

  NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%薄膜電容的來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

  封裝DC=50V DC=100V

  0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF

  1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF

  1210 560---56000pF 560---27000pF

  2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF

  NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

二X7R電容器

  X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到125℃時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

  X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。

  X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

  封裝DC=50V DC=100V

  0805 330pF---0.56μF 330pF---0.12μF

  1206 1000pF---1.5μF 1000pF---0.47μF

  1210 1000pF---2.2μF 1000pF---1μF

  2225 0.01μF---10μF 0.01μF---5.6μF

 
 


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