應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:* | 集電極最大允許電流ICM:* | 截止頻率fT:*

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5401/2L MMBT5551/G1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:12 | 結(jié)構(gòu):合金擴散型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1KV

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:2N5401 2N5551 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:/

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:2N5400， 2N5401 TO-92 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

類型:其他IC | 品牌:n/a | 型號:MMBT5401 | 功率:n/a | 封裝:n/a | 批號:n/a

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:2N5401/2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:12 | 結(jié)構(gòu):合金擴散型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 200:250 | 擊穿電壓VCEO:1KV

應用范圍:功率 | 品牌:Zetex/捷特科 | 型號:FMMT5401TA | 材料:其他 | 封裝形式:SOT23 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:2N5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:3 | 擊穿電壓VCBO:....... | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 截止頻率fT:4 | 結(jié)構(gòu):臺面型 | 是否提供加工定制:是 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2N5401 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:ON安森美 | 型號:MMBT5401LT1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:中高頻放大三極管 2N5551 三極管 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1

建議零售價:¥0.00 | 應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N5401 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:原廠規(guī)格 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:否

類型:其他IC | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:2N5551 | 集電極最大耗散功率PCM:P | 擊穿電壓VCBO:P | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大允許電流ICM:P | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:P | 結(jié)構(gòu):平面型 | 材料:其他 | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:功率

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:1N5401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 1:1