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1 基本介紹
雙極性晶體管(英語(yǔ):bipolar transistor),全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革命意義的一項(xiàng)發(fā)明,其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子晶體管。這種工作方式與諸如場(chǎng)效應(yīng)管的單極性晶體管不同,后者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區(qū)域之間的邊界由PN結(jié)形成。
雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。以NPN晶體管為例,按照設(shè)計(jì),高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子,通過擴(kuò)散作用運(yùn)動(dòng)到基極。在基極區(qū)域,空穴為多數(shù)載流子,而電子少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄,這些電子又通過漂移運(yùn)動(dòng)到達(dá)集電極,從而形成集電極電流,因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設(shè)備。
雙極性晶體管能夠放大信號(hào),并且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用來構(gòu)成放大器電路,或驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)等設(shè)備,并被廣泛地應(yīng)用于航空航天工程、醫(yī)療器械和機(jī)器人等應(yīng)用產(chǎn)品中。
2 工作原理
晶體三極管(以下簡(jiǎn)稱三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
NPN管它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí),發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài),而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí),集電結(jié)處于反偏狀態(tài),集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。
在制造三極管時(shí),有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時(shí)基區(qū)做得很薄,而且,要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量,這樣,一旦接通電源后,由于由于發(fā)射結(jié)正偏,,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)極基區(qū)的多數(shù)載流子(控穴)很容易地截越過發(fā)射結(jié)構(gòu)互相向反方各擴(kuò)散,但因前者的濃度基大于后者,所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏,注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電集電流Ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合,被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給,從而形成了基極電流Ibo根據(jù)電流連續(xù)性原理得:Ie=Ib+Ic這就是說,在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的Ib,就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic,這就是所謂電流放大作用,Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系,即:β1=Ic/Ib式中:β--稱為直流放大倍數(shù),集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為:β=△Ic/△Ib式中β--稱為交流電流放大倍數(shù),由于低頻時(shí)β1和β的數(shù)值相差不大,所以有時(shí)為了方便起見,對(duì)兩者不作嚴(yán)格區(qū)分,β值約為幾十至一百多。三極管是一種電流放大器件,但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用,通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?br/>
3 功能作用
三極管是一種控制元件,主要用來控制電流的大小,以共發(fā)射極接法為例(信號(hào)從基極輸入,從集電極輸出,發(fā)射極接地),當(dāng)基極電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí),基極電流IB也會(huì)隨之有一小的變化,受基極電流IB的控制,集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化,基極電流IB越大,集電極電流IC也越大,反之,基極電流越小,集電極電流也越小,即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多,這就是三極管的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三極管的放大倍數(shù)β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量。),三極管的放大倍數(shù)β一般在幾十到幾百倍。
三極管在放大信號(hào)時(shí),首先要進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),即要先建立合適的靜態(tài)工作點(diǎn),也叫建立偏置 ,否則會(huì)放大失真。
在三極管的集電極與電源之間接一個(gè)電阻,可將電流放大轉(zhuǎn)換成電壓放大:當(dāng)基極電壓UB升高時(shí),IB變大,IC也變大,IC 在集電極電阻RC的壓降也越大,所以三極管集電極電壓UC會(huì)降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。
4 主要參數(shù)
1、直流參數(shù)
(1)集電極一基極反向飽和電流Icbo,發(fā)射極開路(Ie=0)時(shí),基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Vcb時(shí)的集電極反向電流,它只與溫度有關(guān),在一定溫度下是個(gè)常數(shù),所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管,Icbo很小,小功率鍺管的Icbo約為1~10微安,大功率鍺管的Icbo可達(dá)數(shù)毫安,而硅管的Icbo則非常小,是毫微安級(jí)。
(2)集電極一發(fā)射極反向電流Iceo(穿透電流)基極開路(Ib=0)時(shí),集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓Vce時(shí)的集電極電流。Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù),其值越小,性能越穩(wěn)定,小功率鍺管的Iceo比硅管大。
(3)發(fā)射極---基極反向電流Iebo集電極開路時(shí),在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時(shí)發(fā)射極的電流,它實(shí)際上是發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。
(4)直流電流放大系數(shù)β1(或hEF)這是指共發(fā)射接法,沒有交流信號(hào)輸入時(shí),集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即:β1=Ic/Ib
2、交流參數(shù)
(1)交流電流放大系數(shù)β(或hfe)這是指共發(fā)射極接法,集電極輸出電流的變化量△Ic與基極輸入電流的變化量△Ib之比,即:β=△Ic/△Ib一般晶體管的β大約在10-200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩(wěn)定。
(2)共基極交流放大系數(shù)α(或hfb)這是指共基接法時(shí),集電極輸出電流的變化是△Ic與發(fā)射極電流的變化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因?yàn)椤鱅c<△Ie,故α<1。高頻三極管的α>0.90就可以使用α與β之間的關(guān)系:α=β/(1+β)β=α/(1-α)≈1/(1-α)
(3)截止頻率fβ、fα當(dāng)β下降到低頻時(shí)0.707倍的頻率,就是共發(fā)射極的截止頻率fβ;當(dāng)α下降到低頻時(shí)的0.707倍的頻率,就是共基極的截止頻率fαofβ、fα是表明管子頻率特性的重要參數(shù),它們之間的關(guān)系為:fβ≈(1-α)fα
(4)特征頻率fT因?yàn)轭l率f上升時(shí),β就下降,當(dāng)β下降到1時(shí),對(duì)應(yīng)的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數(shù)。
3、極限參數(shù)
(1)集電極最大允許電流ICM當(dāng)集電極電流Ic增加到某一數(shù)值,引起β值下降到額定值的2/3或1/2,這時(shí)的Ic值稱為ICM。所以當(dāng)Ic超過ICM時(shí),雖然不致使管子損壞,但β值顯著下降,影響放大質(zhì)量。
(2)集電極----基極擊穿電壓BVCBO當(dāng)發(fā)射極開路時(shí),集電結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
(3)發(fā)射極-----基極反向擊穿電壓BVEBO當(dāng)集電極開路時(shí),發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
(4)集電極-----發(fā)射極擊穿電壓BVCEO當(dāng)基極開路時(shí),加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,使用時(shí)如果Vce>BVceo,管子就會(huì)被擊穿。
(5)集電極最大允許耗散功率PCM集電流過Ic,溫度要升高,管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過允許值時(shí)的最大集電極耗散功率稱為PCM。管子實(shí)際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=Uce×Ic.使用時(shí)慶使Pc<PCM。PCM與散熱條件有關(guān),增加散熱片可提高PCM。
5 特性曲線
1、輸入特性其特點(diǎn)是:
1)當(dāng)Uce在0-2伏范圍內(nèi),曲線位置和形狀與Uce有關(guān),但當(dāng)Uce高于2伏后,曲線Uce基本無關(guān)通常輸入特性由兩條曲線(Ⅰ和Ⅱ)表示即可。
2)當(dāng)Ube<UbeR時(shí),Ib≈O稱(0~UbeR)的區(qū)段為“死區(qū)”當(dāng)Ube>UbeR時(shí),Ib隨Ube增加而增加,放大時(shí),三極管工作在較直線的區(qū)段。
3)三極管輸入電阻,定義為:rbe=(△Ube/△Ib)Q點(diǎn),其估算公式為:rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏)rb為三極管的基區(qū)電阻,對(duì)低頻小功率管,rb約為300歐。
2、輸出特性
輸出特性表示Ic隨Uce的變化關(guān)系(以Ib為參數(shù)),它分為三個(gè)區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)當(dāng)Ube<0時(shí),則Ib≈0,發(fā)射區(qū)沒有電子注入基區(qū),但由于分子的熱運(yùn)動(dòng),集電集仍有小量電流通過,即Ic=Iceo稱為穿透電流,常溫時(shí)Iceo約為幾微安,鍺管約為幾十微安至幾百微安,它與集電極反向電流Icbo的關(guān)系是:Icbo=(1+β)Icbo常溫時(shí)硅管的Icbo小于1微安,鍺管的Icbo約為10微安,對(duì)于鍺管,溫度每升高12℃,Icbo數(shù)值增加一倍,而對(duì)于硅管溫度每升高8℃,Icbo數(shù)值增大一倍,雖然硅管的Icbo隨溫度變化更劇烈,但由于鍺管的Icbo值本身比硅管大,所以鍺管仍然受溫度影響較嚴(yán)重的管,放大區(qū),當(dāng)晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正偏而集電結(jié)于反偏工作時(shí),Ic隨Ib近似作線性變化,放大區(qū)是三極管工作在放大狀態(tài)的區(qū)域。飽和區(qū)當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正偏狀態(tài)時(shí),Ic基本上不隨Ib而變化,失去了放大功能。根據(jù)三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)偏置情況,可能判別其工作狀態(tài)。
截止區(qū)和飽和區(qū)是三極管工作在開關(guān)狀態(tài)的區(qū)域,三極管和導(dǎo)通時(shí),工作點(diǎn)落在飽和區(qū),三極管截止時(shí),工作點(diǎn)落在截止區(qū)。
6 產(chǎn)品檢測(cè)
大功率晶體三極管的檢測(cè)
利用萬用表檢測(cè)中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法,對(duì)檢測(cè)大功率三極管來說基本上適用。但是,由于大功率三極管的工作電流比較大,因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大,其反向飽和電流也必然增大。所以,若像測(cè)量中、小功率三極管極間電阻那樣,使用萬用表的R×1k擋測(cè)量,必然測(cè)得的電阻值很小,好像極間短路一樣,所以通常使用R×10或R×1擋檢測(cè)大功率三極管。
普通達(dá)林頓管的檢測(cè)
用萬用表對(duì)普通達(dá)林頓管的檢測(cè)包括識(shí)別電極、區(qū)分PNP和NPN類型、估測(cè)放大能力等項(xiàng)內(nèi)容。因?yàn)檫_(dá)林頓管的E-B極之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié),所以應(yīng)該使用萬用表能提供較高電壓的R×10K擋進(jìn)行測(cè)量。
大功率達(dá)林頓管的檢測(cè)
檢測(cè)大功率達(dá)林頓管的方法與檢測(cè)普通達(dá)林頓管基本相同。但由于大功率達(dá)林頓管內(nèi)部設(shè)置了V3、R1、R2等保護(hù)和泄放漏電流元件,所以在檢測(cè)量應(yīng)將這些元件對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響加以區(qū)分,以免造成誤判。具體可按下述幾
步驟進(jìn)行
晶體三極管
A用萬用表R×10K擋測(cè)量B、C之間PN結(jié)電阻值,應(yīng)明顯測(cè)出具有單向?qū)щ娦阅?。正、反向電阻值?yīng)有較大差異。
B在大功率達(dá)林頓管B-E之間有兩個(gè)PN結(jié),并且接有電阻R1和R2。用萬用表電阻擋檢測(cè)時(shí),當(dāng)正向測(cè)量時(shí),測(cè)到的阻值是B-E結(jié)正向電阻與R1、R2阻值并聯(lián)的結(jié)果;當(dāng)反向測(cè)量時(shí),發(fā)射結(jié)截止,測(cè)出的則是(R1+R2)電阻之和,大約為幾百歐,且阻值固定,不隨電阻擋位的變換而改變。但需要注意的是,有些大功率達(dá)林頓管在R1、R2、上還并有二極管,此時(shí)所測(cè)得的則不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)與兩只二極管正向電阻之和的并聯(lián)電阻值。
帶阻尼行輸出三極管的檢測(cè)
將萬用表置于R×1擋,通過單獨(dú)測(cè)量帶阻尼行輸出三極管各電極之間的電阻值,即可判斷其是否正常。具體測(cè)試原理,方法及步驟如下:
A將紅表筆接E,黑表筆接B,此時(shí)相當(dāng)于測(cè)量大功率管B-E結(jié)的等效二極管與保護(hù)電阻R并聯(lián)后的阻值,由于等效二極管的正向電阻較小,而保護(hù)電阻R的阻值一般也僅有20~50,所以,二者并聯(lián)后的阻值也較小;反之,將表筆對(duì)調(diào),即紅表筆接B,黑表筆接E,則測(cè)得的是大功率管B-E結(jié)等效二極管的反向電阻值與保護(hù)電阻R的并聯(lián)阻值,由于等效二極管反向電阻值較大,所以,此時(shí)測(cè)得的阻值即是保護(hù)電阻R的值,此值仍然較小。
B將紅表筆接C,黑表筆接B,此時(shí)相當(dāng)于測(cè)量管內(nèi)大功率管B-C結(jié)等效二極管的正向電阻,一般測(cè)得的阻值也較??;將紅、黑表筆對(duì)調(diào),即將紅表筆接B,黑表筆接C,則相當(dāng)于測(cè)量管內(nèi)大功率管B-C結(jié)等效二極管的反向電阻,測(cè)得的阻值通常為無窮大。
C將紅表筆接E,黑表筆接C,相當(dāng)于測(cè)量管內(nèi)阻尼二極管的反向電阻,測(cè)得的阻值一般都較大,約300~∞;將紅、黑表筆對(duì)調(diào),即紅表筆接C,黑表筆接E,則相當(dāng)于測(cè)量管內(nèi)阻尼二極管的正向電阻,測(cè)得的阻值一般都較小,約幾歐至幾十歐。
7 產(chǎn)品分類
按生產(chǎn)工藝分:合金型、擴(kuò)散型、抬面和平面型三極管。
按內(nèi)部結(jié)構(gòu)分:點(diǎn)接觸型和面接觸型三極管。
按工作頻率分:低頻三極管、高頻三極管、開關(guān)三極管。
按功率分:小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管
按外形結(jié)構(gòu)分:小功率封裝、大功率封裝、塑料封裝等
8 主要類別
三極管只有兩種類型,即PNP型和NPN型。判別時(shí)只要知道基極是P型材料還是N型材料即可。當(dāng)用萬用電表R×1k檔時(shí),黑表筆代表電源正極,如果黑表筆接基極時(shí)導(dǎo)通,則說明三極管的基極為P型材料,三極管即為NPN型。如果紅表筆接基極導(dǎo)通,則說明三極管基極為N型材料,三極管即為PNP型。
9 注意事項(xiàng)
鍺三極管的增益大,頻率響應(yīng)好,尤其適用于低壓線路。硅三極管的反向漏電流小,耐壓高,溫度漂移小,且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。
(1)加到管上的電壓極性應(yīng)正確。PNP管的發(fā)射極對(duì)其他兩電極是正電位,而NPN管則是負(fù)電位。
(2)不論是靜態(tài)、動(dòng)態(tài)或不穩(wěn)定態(tài)(如電路開啟、關(guān)閉時(shí)),均須防止電流、電壓超出最大極限值,也不得有兩項(xiàng)或兩項(xiàng)以上多數(shù)同時(shí)達(dá)到極限值。
(3)選用三極管主要應(yīng)注意極性和下述參數(shù):PCM、ICM、BUCEO、BUEBO、ICBO、β、fT和fβ。因有BUCBO>BUCES>BUCER>BUCEO,因此,只要BUCEO滿足要求就可以了。一般高頻工作時(shí)要求fT=(5~10)f,f為工作頻率。開關(guān)電路工作時(shí)應(yīng)考慮三極管的開關(guān)參數(shù)。
(4)三極管的替換。只要管子的基本參數(shù)相同,就能替換,性能高的可替換性能低的。低頻小功率管,任何型號(hào)的高、低頻小功率管都可替換它,但fT不能太高。只要fT符合要求,一般就可以代替高頻小功率管,但應(yīng)選內(nèi)反饋小的管子,hFE>20即可。對(duì)低頻大功率管,一般只要PCM、ICM、BUCEO符合要求即可,但應(yīng)考慮hFE、UCES的影響。應(yīng)滿足電路中有特殊要求的參數(shù)(如NF、開關(guān)參數(shù))。此外,通常鍺、硅管不能互換。
(5)工作于開關(guān)狀態(tài)的三極管,因BUEBO一般較低,所以應(yīng)考慮是否要在基極回路加保護(hù)線路,以防止發(fā)射結(jié)擊穿;若集電極負(fù)載為感性(如繼電器的工作線圈),則必須加保護(hù)線路(如線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管),以防線圈反電動(dòng)勢(shì)損壞三極管。
(6)管子應(yīng)避免靠近熱元件,減小溫度變化和保證管殼散熱良好。功率放大管在耗散功率較大時(shí),應(yīng)加散熱板(磨光的紫銅板或鋁板)。管殼與散熱板應(yīng)緊密貼牢。散熱裝置應(yīng)垂直安裝,以利于空氣自然對(duì)流。
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