應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:A608 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:400m | 擊穿電壓VCBO:30 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:100m | 截止頻率fT:180+ | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
≥99 PCS
¥0.05
品牌:AO | 型號:NDP608A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.16
應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:A608 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
≥1000 PCS
¥0.10
應用范圍:功率 | 品牌:CJ | 型號:A608 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:* | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:*
≥1000 PCS
¥0.08
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:A608 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1000 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:A608 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
≥1000 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:A608S | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1000 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:A608 | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1000 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:ALJ | 型號:2SA608 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92
≥1 PCS
¥0.08
應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:A608S | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:300m | 擊穿電壓VCBO:30 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:100m | 截止頻率fT:180+ | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
≥99 PCS
¥0.05
應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:A608S | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 擊穿電壓VCBO:40 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:0.1 | 截止頻率fT:180+ | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是