類型:報(bào)警器 | 品牌:JRC | 型號(hào):NJM3414AM | 功率:1 | 用途:電腦 | 封裝:SOP/DIP

產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:是 | 品牌:ANALOGPOWER | 型號(hào):AM3444N-T1-PF | 材料:其他 | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:150（℃） | 功耗:W | 針腳數(shù):3 | 批號(hào):13+

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):MMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

類型:報(bào)警器 | 品牌:JRC | 型號(hào):NJM3414AM | 功率:1 | 用途:電腦 | 封裝:SOP/DIP | 批號(hào):new

品牌:Zetex/捷特科 | 型號(hào):FDV360P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF6217TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:電源模塊 | 處理器速度:快 | 封裝:S0-8

品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFD110PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:電源模塊 | 處理器速度:快 | 封裝:DIP-4

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號(hào):BF840 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.25 | 集電極最大允許電流ICM:0.025 | 截止頻率fT:380

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):CT60AM18F | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 最大漏極電流:100 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):100

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):MMBT3904-1AM | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:5.6 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號(hào):BCR30AM | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:N | 擊穿電壓VCBO:N | 集電極最大允許電流ICM:N | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:N | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOL1408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:SO-8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AO4409? | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:SOP-8?

品牌:ST/意法 | 型號(hào):TIP112/117 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:DIP/SOP