品牌:AO | 型號:AO4406 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 功率:1 | 批號:2012+ | 封裝:SOP-8
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4401 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SIT靜電感應(yīng)
種類:場效應(yīng)管 | 品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT470
≥10 PCS
¥5.00
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
3-29 K
¥0.32
≥30 K
¥0.28
類型:其他IC | 品牌:MI瑞信 | 型號:MI3415 | 功率:標準 | 針腳數(shù):標準 | 封裝:SOT23-3L | 批號:12+
≥1000 個
¥0.33
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4718 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT460 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT430 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-4999 個
¥0.66
≥5000 個
¥0.65
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT404 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.75
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOP806 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.57
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3810 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道(雙) | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD,扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.80
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3402 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-VDFN | 材料:N-FET硅N溝道
1-999 個
¥1.00
1000-2999 個
¥0.90
≥3000 個
¥0.85
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON3806 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道(雙) | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD,扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥0.50