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專題簡介:
ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現(xiàn)象是損壞芯片的主要原因?！綨XP半導(dǎo)體】及【安森美半導(dǎo)體】提供各種類型的ESD/TVS保護(hù)二極管,非常適用于對抗ESD及其他電壓突變脈沖。這些器件最多可以保護(hù)18個數(shù)據(jù)通道，最大可抵抗30kV的尖峰脈沖.其引腳容抗可低至1pF，非常適合保護(hù)高速（可達(dá)200MHz以上）數(shù)據(jù)線，由于他們的小體積及非常小的漏電流，因此也適用于一些對空間及功耗要求嚴(yán)格的場合，如電池供電及手持設(shè)備。
概述 |
ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現(xiàn)象是損壞芯片的主要原因。NXP提供一個新系列的ESD保護(hù)二極管,非常適用于對抗ESD及其他電壓突變脈沖。這些器件最多可以保護(hù)18個數(shù)據(jù)通道，最大可抵抗30kV的尖峰脈沖.其引腳容抗僅為10pF，非常適合保護(hù)高速或高頻（可達(dá)200MHz以上）數(shù)據(jù)線，由于他們的小體積及非常小的漏電流，他們非常適用于一些對空間及功耗要求嚴(yán)格的場合，如電池供電及手持設(shè)備。 PSED3V3L2UM及PESD5V0L2UM為市場中最先推出的無引腳封裝的ESD保護(hù)器件,超小的SOT883封裝,支持15kV的保護(hù)級別, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm體積使其支持更高的保護(hù)級別,體積相比SOT23縮小了90%. |
主要特性 |
出色的ESD保護(hù)特性 極低容抗 超快的響應(yīng)速度(<1ns) 低鉗位電壓 超低漏電流 極小封裝 IEC 61000-4-2,level 4認(rèn)證(> 15 kV非接觸放電, > 8 kV接觸放電) HBM MIL-Std 883, class 3認(rèn)證(> 4 kV) |
通過此圖，我們可以清晰看出，ESD保護(hù)器件在抑制ESD、電氣快速瞬變（EFT）、浪涌瞬變有出色表現(xiàn)。 |
電路板布線及ESD保護(hù)相關(guān)經(jīng)驗(yàn) |
電路板布線對于抑制ESD、電氣快速瞬變（EFT）、浪涌瞬變是非常關(guān)鍵的。建議遵循如下的指導(dǎo)方針： 盡可能將ESD保護(hù)器件靠近輸入端或者連接器。 ESD保護(hù)器件與被保護(hù)線之間的線路距離應(yīng)該盡量短。 盡量減少信號線路并排走線。 避免被保護(hù)的導(dǎo)線與未被保護(hù)的導(dǎo)線并排走線。 所有印刷電路板的傳導(dǎo)環(huán)路包括電源和地線環(huán)路應(yīng)該盡量少。 瞬變現(xiàn)象回到地的線路距離應(yīng)該盡量短。 避免與其他器件使用同一條回路來連接公共接地點(diǎn)。 盡可能使用接地層，多層印刷電路板應(yīng)使用接地過孔。 |
產(chǎn)品一覽表 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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