詳細(xì)信息
- 支持297 個(gè)廠商，83139 顆可編程器件。
- 讀寫程速度無與倫比, 編程+校驗(yàn)一片SAMSUNG KAP21WP00M,1Gb NAND FLASH芯片測試僅須108秒，ST M29DW128G 128Mb NOR FLASH 僅需10.9秒。芯片燒寫速度平均提高2~10倍。
- 4個(gè)獨(dú)立編程模塊異步工作，完全沒有同步等待時(shí)間。每個(gè)模塊具備144腳萬能驅(qū)動(dòng)電路。144腳以內(nèi)同封裝不同型號(hào)芯片只需一種適配器。通用適配器保證快速新器件支持。
- 直接支持1.2V到5V各種電壓器件。
- 更先進(jìn)的波形驅(qū)動(dòng)電路保證極高的燒寫成功率。 配合IC廠家認(rèn)證的算法,無論是低電壓器件、二手器件還是低品質(zhì)器件均能保證極高的編程良品率。編程結(jié)果可選擇高低雙電壓校驗(yàn),保證結(jié)果持久穩(wěn)固。
- PC通過USB2.0口(高速)控制編程器,
- 自動(dòng)檢測芯片錯(cuò)插和管腳接觸不良,避免損壞器件。
- 完善的過流保護(hù)功能,避免損壞編程器。
- 豐富的軟件功能簡化操作,提高效率,避免出錯(cuò),對(duì)用戶關(guān)懷備至。工程（Project）將用戶關(guān)于對(duì)象器件的各種操作、設(shè)置,包括器件型號(hào)設(shè)定、燒寫文件的調(diào)入、配置位的設(shè)定、批處理命令等保存在工程文件中,每次運(yùn)行時(shí)一步進(jìn)入寫片操作，有效降低誤操作概率。工程文件可設(shè)密碼防止資料外泄。批處理（Auto）命令允許用戶將擦除、查空、編程、校驗(yàn)、加密等常用命令序列隨心所欲地組織成一步完成的單一命令。量產(chǎn)模式下一旦芯片正確插入插座CPU即自動(dòng)啟動(dòng)批處理命令,無須人工按鍵。標(biāo)準(zhǔn)的序列號(hào)生成和插入功能并可接受用戶定制特殊序列號(hào)生成器。
- 軟件支持WINDOWS XP/Vista/Win7操作系統(tǒng)。
備注：
①支持器件將不少于SUPERPRO/3000U. 芯片型號(hào) 編程+校驗(yàn) (秒) 與SP3000U比較 類型 K8P6415UQB 9.1(P)+2.3(V)= 11.4(s) 25.1(P)+16.8(V)=41.9(s) 64Mb NOR FLASH AM29DL640G 20.5(P)+2.3(V) =22.8(s) 38.5(P)+11.8(V)=50.3(s) 64Mb NOR FLASH K9F1208U0B 35.2(P)+32.2(V)=67.4 188.6(P)+179.2(V)=367.8 512Mb NAND FLASH KAP21WP00M 53.2(p)+54.8(V)=108 不支持 1Gb NAND FLASH K9F1G08U0A 60.4(P)+56.1(V)=116.5 362.3(P)+359.3(v)=721.6 1Gb NAND FLASH AT28C64B 0.8(P)+0.1(V)= 0.9(s) 1.2(P)+0.8(V)= 2.0(s) 64Kb EEPROM 24AA128 2.7(P)+1.8(V)= 4.5(s) 5.0(P)+4.0(V)= 9.0(s) 128Kb 串行EEPROM QB25F640S33B60 29.0(P)+14.4(V)= 43.4(s) 55.2(P)+41.4(V)= 96.6(s) 64Mb 串行EEPROM AT89C55WD 2.5(P)+0.4(V)=2.9(s) 3.3(P)+1.0(V)=4.3(s) 20KB FLASH MCU ST72F324BK4B5 2.6(P)+1.3(V)=3.9(s) 18(P)+7(V)=25(s) 32KB FLASH MCU MB89F538 1.21(P)+0.93(V)=2.14(s) 12(P)+6(V)=18(s) 32KB FLASH MCU Upd78F9234 2.6(P)+1.3(V)=3.9(s) 38(P)+16(V)=54(s) 16KB FLASH MCU