詳細(xì)信息
此套資料包含：正版書籍(1本)+獨(dú)家內(nèi)部資料(1張)+包郵費(fèi)=290元 貨到付款
本套資料幾乎涵蓋了市面上全部最新資料 明細(xì)如下：
（1）《光電二極管及其放大電路設(shè)計(jì)》正版圖書
（2）《各種光電二極管技術(shù)內(nèi)部資料匯編》正版光盤(1張)，有1000多頁內(nèi)容,獨(dú)家資料
客服熱線：010-57923471（客服一線）010-57923795（客服二線） 值班手機(jī)：13661141674 QQ:523365451
全國大中型600多個(gè)城市可以貨到付款！您收到時(shí)請將貨款直接給送貨人員，讓您買的放心。
具體介紹目錄如下：
（1）《光電二極管及其放大電路設(shè)計(jì)》正版圖書
《光電二極管及其放大電路設(shè)計(jì)》編著者Jerald Graeme。光電技術(shù)是一個(gè)高科技行業(yè)，光電二極管是光通信接收部分的核心器件。本書系統(tǒng)地討論了光接收及放大電路的設(shè)計(jì)和解決方案中的帶寬、穩(wěn)定性、相位補(bǔ)償、寬帶放大電路、噪聲抑制等問題。本書專業(yè)性強(qiáng)，系統(tǒng)架構(gòu)由簡到難，理論與實(shí)踐相結(jié)合，具有較強(qiáng)的應(yīng)用性、資料性和可讀性。本書適合光信息科學(xué)與技術(shù)、電子科學(xué)與技術(shù)、光通信相關(guān)專業(yè)的高校師生及研發(fā)人員使用。
第1章 光電二極管
1.1 光電效應(yīng)
1.2 光電二極管模擬電路
1.3 光電二極管的變體
1.3.1 PIN光電二極管
1.3.2 雪崩光電二極管
1.4 位置敏感光電二極管
1.4.1 基本的橫向光電二極管
1.4.2 橫向光電二極管模型
1.4.3 雙橫向光電二極管
1.4.4 四橫向光電二極管
參考文獻(xiàn)
第2章 基本放大器
2.1 線性度
2.2 偏置
2.2.1 利用補(bǔ)償電阻減小偏置
2.2.2 利用T型反饋網(wǎng)絡(luò)減小偏置誤差
2.3 帶寬
參考文獻(xiàn)
第3章 帶寬與穩(wěn)定性
3.1 固有的響應(yīng)極限
3.1.1 寄生電容的響應(yīng)極限
3.1.2 運(yùn)算放大器的帶寬響應(yīng)限制
3.2 相位補(bǔ)償要求
3.2.1 L-C等效諧振和相位補(bǔ)償
3.2.2 基本電路反饋分析
3.3 相位補(bǔ)償
3.3.1 基本相位補(bǔ)償
3.3.2 相位裕度分析
3.3.3 相位裕度分析的典型例子
3.3.4 通常情況下的相位裕度分析
3.3.5 相位補(bǔ)償電容的選擇
3.4 電流-電壓轉(zhuǎn)換器的帶寬優(yōu)勢
3.5 相位補(bǔ)償?shù)目蛇x方案
3.5.1 光電二極管放大器的二階響應(yīng)
3.5.2 把二階系統(tǒng)結(jié)果用到光電二極管放大器上
3.5.3 選擇相位補(bǔ)償進(jìn)行峰值限制
3.5.4 實(shí)現(xiàn)精確的相位補(bǔ)償
參考文獻(xiàn)
第4章 寬帶光電二極管放大器
4.1 光電二極管的偏置
4.1.1 偏置的影響
4.1.2 光電二極管偏置和電流-電壓轉(zhuǎn)換器
4.2 偏置的改善
4.2.1 偏置電壓的濾波
4.2.2 偏置引起誤差的共模抑制
4.3 自舉光電二極管
4.3.1 基本自舉光電二極管放大器
4.3.2 自舉放大器的帶寬分析
4.3.3 相位補(bǔ)償自舉放大器
4.4 自舉電路和電流-電壓轉(zhuǎn)換器的結(jié)合
4.4.1 基本組合及其要求
4.4.2 一個(gè)實(shí)際的緩沖器解決方案
4.4.3 組合的帶寬分析
參考文獻(xiàn)
第5章 噪聲
5.1 總體的噪聲效應(yīng)
5.1.1 噪聲密度和噪聲增益
5.1.2 噪聲增益峰
5.1.3 總均方根輸出噪聲
5.2 運(yùn)算放大器的輸入噪聲電壓效應(yīng)
5.2.1 enoe噪聲部分的直觀推導(dǎo)
5.2.2 Enoe分析的簡化
5.2.3 Enoe的組成
5.3 噪聲效應(yīng)的結(jié)合
5.3.1 噪聲分析總結(jié)
5.3.2 對于主要噪聲效應(yīng)的識別
參考文獻(xiàn)
第6章 降噪
6.1 利用反饋電容Cf降噪
6.1.1 Cf的噪聲增益降低
6.1.2 Cf情況下的噪聲分析
6.2 噪聲帶寬與信號帶寬
6.3 使用復(fù)合放大器降噪
6.3.1 復(fù)合放大器的噪聲帶寬降低
6.3.2 復(fù)合放大器的噪聲增益降低
6.3.3 優(yōu)化復(fù)合噪聲與帶寬
6.3.4 復(fù)合情況下的噪聲分析
6.3.5 與有源濾波器電路方案的比較
6.4 相位補(bǔ)償解耦降噪
6.4.1 解耦的噪聲增益降低
6.4.2 解耦情況下噪聲與帶寬的優(yōu)化
6.4.3 解耦情況下的噪聲分析
參考文獻(xiàn)
第7章 高增益光電二極管放大器
7.1 使用反饋T型網(wǎng)絡(luò)
7.1.1 反饋T型產(chǎn)生的增益和噪聲
7.1.2 T型的噪聲電壓響應(yīng)優(yōu)化
7.1.3 T型的阻抗噪聲響應(yīng)優(yōu)化
7.1.4 T型方案的噪聲分析
7.2 增加一個(gè)電壓放大器
7.2.1 優(yōu)化雙放大器的帶寬與噪聲的關(guān)系
7.2.2 帶寬與噪聲優(yōu)化的設(shè)計(jì)
7.2.3 雙放大器方案的噪聲分析
7.3 增加電壓增益
7.3.1 電壓增益方案
7.3.2 優(yōu)化單放大器的帶寬與噪聲
7.3.3 單放大器方案的噪聲分析
7.4 增加電流增益
7.4.1 電流增益方案
7.4.2 優(yōu)化電流增益的帶寬與噪聲關(guān)系
7.4.3 電流增益方案的噪聲分析
參考文獻(xiàn)
第8章 減少電源噪聲耦合
8.1 電源旁路要求
8.1.1 噪聲耦合機(jī)制
8.1.2 噪聲耦合頻率響應(yīng)
8.1.3 電源耦合與頻率穩(wěn)定性
8.1.4 振蕩條件
8.2 選擇基本旁路電容
8.2.1 旁路諧振
8.2.2 旁路諧振的直觀分析
8.2.3 旁路選擇
8.3 選擇次級旁路電容
8.3.1 旁路電容自身諧振
8.3.2 雙重旁路電容
8.3.3 雙重旁路的選擇
8.4 旁路方案
8.4.1 雙重旁路諧振的消諧
8.4.2 選擇消諧電阻
8.5 電源去耦
8.5.1 去耦方案
8.5.2 選擇去耦元件
參考文獻(xiàn)
第9章 減小外部噪聲效應(yīng)
9.1 降低靜電耦合
9.1.1 靜電屏蔽
9.1.2 差動(dòng)輸入的電流-電壓轉(zhuǎn)換器
9.1.3 差動(dòng)輸入連接的其他噪聲效應(yīng)
9.1.4 差動(dòng)輸入光電二極管放大器的替代方案
9.1.5 差動(dòng)輸入替代方案的其他噪聲影響
9.2 降低磁耦合以及射頻干擾
9.2.1 磁屏蔽
9.2.2 電路中磁耦合的降低
9.3 復(fù)合耦合噪聲影響的降低
9.4 磁場產(chǎn)生的最小化
參考文獻(xiàn)
第10章 位置敏感光電二極管放大器
10.1 直接位移監(jiān)測放大器
10.1.1 使用差動(dòng)光電二極管放大器單軸監(jiān)測
10.1.2 差動(dòng)光電二極管放大器噪聲的降低
10.1.3 不同的光電二極管連接方式
10.1.4 差動(dòng)光電二極管連接方式的替代方案
10.1.5 二維方向上的測量
10.2 歸一化的監(jiān)測放大器
10.2.1 差動(dòng)光電二極管放大器的歸一化
10.2.2 歸一化的簡化
10.2.3 歸一化的差動(dòng)光電二極管放大器的簡化
10.3 歸一化的數(shù)字方案
10.3.1 陣列信號的處理
10.3.2 確定邏輯輸出水平
參考文獻(xiàn)
名詞解釋
（2）《各種光電二極管技術(shù)內(nèi)部資料匯編》正版光盤(1張)，有1000多頁內(nèi)容,獨(dú)家資料
1 硅基紫外增強(qiáng)型光電二極管制作方法
2 使用背側(cè)照明光電二極管的圖像傳感器及其制造方法
3 用光電二極管感測氣體絕緣開關(guān)裝置中電弧的裝置和方法
4 905nm硅雪崩光電二極管及其制作方法
5 光電二極管、紫外探測器集成電路及其制造方法
6 封裝光電器件的方法及發(fā)光二極管芯片
7 光電二極管及其形成方法
8 一種雪崩光電二極管及其制作方法
9 具有有機(jī)光電二極管的圖像傳感器及其制造方法
10 光電二極管及其形成方法
11 光電二極管及其制備方法、X射線探測器基板及其制備方法
12 一種高增益微元雪崩光電二極管陣列制造方法
13 一種二極管的光電測試方法
14 具有納米結(jié)構(gòu)和納米金屬光學(xué)腔和天線的發(fā)光二極管,快光子-電子源和光電探測器,以及其制造方法
15 用于光學(xué)耦合像素化閃爍體和光電二極管陣列的固化裝置和固化方法
16 外延晶片及其制造方法、光電二極管和光學(xué)傳感器裝置
17 一種基于激光二極管的局部放電光電檢測系統(tǒng)及方法
18 雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路、方法及光模塊
19 雪崩光電二極管最佳工作電壓的測試方法
20 一種抗串?dāng)_倒U型埋層光電二極管及生成方法
21 非晶硅光電二極管基板的制造方法、基板及半導(dǎo)體裝置
22 一種光電二極管的制作方法
23 雪崩光電二極管及其制造方法
24 光電二極管陣列、基準(zhǔn)電壓決定方法及推薦動(dòng)作電壓決定方法
25 光電二極管和制造方法
26 光電二極管光通路的制備方法
27 光電二極管及其制造方法
28 光電二極管及其制造方法
29 處理背照式光電二極管的系統(tǒng)和方法
30 具有雙光電二極管差分輸入的塑料光纖接收器和實(shí)現(xiàn)方法
31 一種光電二極管碼盤及其測量物體的相對位移的方法
32 一種雪崩光電二極管的測試方法及測試裝置
33 雪崩光電二極管及其制造方法
34 一種增強(qiáng)型硅基光電二極管及其制作方法
35 光電二極管裝置和光電二極管裝置的生產(chǎn)方法
36 光電二極管及其制造方法、X射線探測器基板及其制造方法
37 雪崩光電二極管的低溫溫度控制裝置及其制作方法
38 一種堆棧光電二極管及其制備方法
39 一種光電二極管芯片的篩選方法
40 用于光電微型傳感器的寬譜紫外發(fā)光二極管及其制作方法
41 一種基于非N型InP襯底的雪崩光電二極管及其制備方法
42 一種免擴(kuò)散的雪崩光電二極管及其制備方法
43 一種InAs雪崩光電二極管及其制造方法
44 使用多分段光電二極管和一個(gè)或更少的照明源檢測手勢的方法
45 一種光電二極管和制作方法
46 用于圖像傳感器的光電二極管及其制造方法、圖像傳感器
47 一種光電二極管及其制作方法
48 具有有不同光敏感度的光電二極管的成像陣列及相關(guān)聯(lián)圖像恢復(fù)方法
49 X射線探測器背板的制造方法及PIN光電二極管的制造方法
50 光電有機(jī)發(fā)光二極管元件及其制造方法
51 光電二極管、光感測組件及光電二極管的制造方法
52 提高圖像傳感器滿阱容量與量子效率光電二極管及方法
53 光電二極管陣列及其形成方法
54 平板X射線成像器中的光電二極管和其他傳感器結(jié)構(gòu)以及用于基于薄膜電子器件來改進(jìn)平板X射線成像器中的光電二極管和其他傳感器結(jié)構(gòu)的拓?fù)渚鶆蛐缘姆椒?br />55 光電二極管裝置及其制造方法
56 一種發(fā)光二極管與光電轉(zhuǎn)換器件的耦合方法
57 光電二極管及其制造方法,及包括光電二極管的光傳感器
58 硅光電二極管及其制造方法
59 用于所結(jié)合支持件上的超薄光電二極管陣列的器件和方法
60 發(fā)光二極管的光電參數(shù)分組測試方法
61 一種倒裝焊結(jié)構(gòu)雪崩光電二極管及其陣列的制備方法
62 一種雪崩光電二極管探測陣列制備方法
63 一種用于紫外探測的雪崩光電二極管及其制備方法和工作方法
64 光電二極管陣列、輻射檢測器及其制造方法
65 用于雪崩光電二極管的能帶遞變倍增區(qū)結(jié)構(gòu)及其制備方法
66 叉指狀紫外增強(qiáng)型選擇性硅光電二極管及其制作方法
67 基于雪崩光電二極管的光正交頻分復(fù)用系統(tǒng)和方法
68 檢測X射線的光電二極管及其制造方法
69 在CMOS工藝中集成光電二極管的方法
70 雪崩光電二極管增益穩(wěn)定的控制裝置和控制方法
71 一種紫外雪崩光電二極管探測器及其制作方法
72 光電二極管以及制造光電二極管的方法
73 光電二極管封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法
74 高速增強(qiáng)型紫外硅選擇性雪崩光電二極管及其制作方法
75 一種雪崩光電二極管的保護(hù)設(shè)備及保護(hù)方法
76 光電二極管裝置的制造方法
77 光電二極管裝置及其制造方法
78 一種光電二極管及其制備方法
79 臺(tái)面型光電二極管及其制造方法
80 一種采用MOCVD外延系統(tǒng)制作漸變型擴(kuò)散光電二極管的方法
81 確定光電二極管的耗盡區(qū)時(shí)間常數(shù)的方法和改善殘像的方法
82 一種對帶雪崩光電二極管輸入光功率監(jiān)控的方法及裝置
83 制造具有無等離子體損壞的光電二極管的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的方法
84 設(shè)有光電二極管的半導(dǎo)體裝置及其制造方法和光盤裝置
85 用于形成光電二極管的曝光掩膜及用其制造圖像傳感器的方法
86 一種硅光電二極管的制作方法
87 對用于光纖鏈路長跨距應(yīng)用的雪崩光電二極管光接收器和激光發(fā)射器進(jìn)行自適應(yīng)地調(diào)整和性能監(jiān)控的設(shè)備和方法
88 光電二極管恒溫控制方法及裝置
89 納米線光電二極管和制作納米線光電二極管的方法
90 一種雪崩光電二極管等效電路模型的建立方法
91 光電二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
92 光電二極管陣列及其信號讀取方法
93 光電二極管及其制造方法
94 InP基平面型背入射雪崩光電二極管及其制造方法
95 半導(dǎo)體光電二極管及其制造方法
96 光電二極管陣列、其制造方法和放射線檢測器
97 光電二極管陣列、其制造方法和放射線檢測器
98 使用背照式光電二極管的圖像傳感器及其制造方法
99 光電二極管的制造方法及使用其而形成的光電二極管
100 光電二極管、用于制造這種光電二極管的方法、光學(xué)通信設(shè)備和光學(xué)互連模塊
101 光電頭燈、用于生產(chǎn)光電頭燈的方法和發(fā)光二極管芯片
102 自動(dòng)測試雪崩光電二極管雪崩電壓值的測定電路與方法
103 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
104 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
105 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
106 光電二極管、固體拍攝裝置及其制造方法
107 具有嵌入式光電二極管區(qū)域的圖像傳感器及其制造方法
108 一種抑止雪崩光電二極管邊緣擊穿的方法
109 垂直的PIN或NIP光電二極管和用于與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容地制造的方法
110 制造具有無等離子體損壞的光電二極管的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的方法
111 光電二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法
112 具有增強(qiáng)電容的CMOS成像器光電二極管及其制造方法
113 光電二極管及其制造方法
114 一種雪崩光電二極管接收機(jī)供電裝置及方法
115 光反射率受控的光電二極管元件及其制造方法
116 用于高量子效率的傾斜釘扎光電二極管及形成方法
117 超薄背發(fā)光光電二極管陣列結(jié)構(gòu)及制造方法
118 嵌有光電二極管區(qū)的圖像傳感器及其制造方法
119 一種光電二極管及其制備方法和在CMOS攝像傳感器中的應(yīng)用
120 CMOS圖像傳感器中的光電二極管及其制造方法
121 CMOS圖像傳感器的光電二極管及其制造方法
122 CMOS圖像傳感器中的光電二極管及其制造方法
123 一種硅光電二極管的制造方法
124 用于CMOS APS的雙釘扎光電二極管及形成方法
125 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
126 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
127 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
128 光電二極管的制作方法
129 圖像傳感器及光電二極管的分離結(jié)構(gòu)的形成方法
130 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
131 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
132 光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器
133 用于具有光電二極管的遙控接收機(jī)的電路裝置和方法
134 具有自對準(zhǔn)交迭光電二極管的圖像傳感器及其制造方法
135 背面入射型光電二極管陣列、其制造方法以及半導(dǎo)體裝置
136 光電二極管陣列及其制造方法
137 光電二極管陣列、其制造方法和放射線檢測器
138 可表面安裝的微型發(fā)光二極管和/或光電二極管以及它們的制造方法
139 背面照射型光電二極管陣列及其制造方法
140 使用數(shù)字電位器控制光電二極管的設(shè)備和方法
141 電荷控制雪崩光電二極管及其制造方法
142 具有與掩埋層接觸的導(dǎo)電插塞的光電二極管及其制造方法
143 有機(jī)發(fā)光二極管光電特性的量測設(shè)備及方法
144 光電二極管和其制造方法及半導(dǎo)體裝置
145 雙門控雪崩光電二極管單光子探測方法
146 一種改善光電二極管線性特性的固體攝像裝置及驅(qū)動(dòng)方法
147 絕緣體上外延硅(SOI)溝槽光電二極管及其形成方法
148 有機(jī)發(fā)光二極管的光電特性的測量方法及測量設(shè)備
149 具有慢光載流子的阻擋層的高速光電二極管及其形成方法
150 制作和CMOS電路集成在一起的異質(zhì)結(jié)光電二極管的方法
151 光電二極管同步輻射X光束線探測方法
152 面發(fā)光激光器、光電二極管、制造方法及光電混載電路
153 具有光電轉(zhuǎn)換能級距離的白色發(fā)光二極管及其制作方法
154 光電二極管及其制造方法
155 光電二極管及其制作方法
156 制造紫外增強(qiáng)型光電二極管的方法