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（1）《晶體管電路活用技巧》正版圖書(shū)
《晶體管電路活用技巧(活學(xué)活用電子技術(shù))》的前半部分介紹組成電路的基本單位的各種電路單元，后半部分是把所介紹的電路單元進(jìn)行各種組合，作成OP放大器，以及A-D、D-A轉(zhuǎn)換器。另外，還將詳細(xì)介紹雙極晶體管最終的整合法則，即跨導(dǎo)線性原理。通過(guò)這本書(shū)，給大家奉獻(xiàn)出多種晶體管的美味菜肴，讀者如果能夠在組合晶體管的模擬與實(shí)驗(yàn)中享受到樂(lè)趣。本書(shū)由(日)柴田肇著；彭軍譯。
第1章 晶體管的放大機(jī)理
1.1 有效地利用原料
1.1.1 IC是由大量的晶體管構(gòu)成的
1.1.2 如果掌握了1~4個(gè)器件組合成的電路單元就沒(méi)有什么可擔(dān)心的
1.2 晶體管梗概
1.2.1 雙極晶體管的物理結(jié)構(gòu)
1.2.2 晶體管擅長(zhǎng)的技能——放大
1.3 理解二極管的行為
1.3.1 只有當(dāng)VF為正時(shí),才有IF的流動(dòng)
1.3.2 VF與IF的關(guān)系
1.4 晶體管的基本工作
1.4.1 晶體管具有與二極管相同的指數(shù)特性,不過(guò)電壓和電流是分開(kāi)的
1.4.2 稍詳細(xì)地描述工作狀態(tài)
1.5 使用晶體管的最初的放大
1.5.1 放大信號(hào),用電壓取出
1.5.2 能放大多少倍?
1.5.3 放大倍數(shù)與RC成比例地增大
1.5.4 輸入信號(hào)的偏置電壓VOFF與放大倍數(shù)
1.6 晶體管放大的機(jī)理
1.6.1 雙極晶體管的放大能力與集電極電流成比例
1.6.2 解開(kāi)18mV之謎
小結(jié)
第2章 高明地使用晶體管進(jìn)行放大的方法
2.1 仔細(xì)地分析晶體管
2.1.1 IC、IE、IB對(duì)于VBE的變化
2.1.2 基極電流與集電極電流成比例
2.2 從二極管的角度考慮的晶體管的工作
2.2.1 二極管的I-V特性
2.2.2 晶體管的工作原理
2.2.3 電流放大倍數(shù)β
2.2.4 發(fā)射極電流與集電極電流相等
2.2.5 晶體管的工作狀態(tài)
2.3 晶體管的等效電路
2.3.1 直流工作的晶體管的等效電路
2.3.2 小信號(hào)解析時(shí)使用的晶體管的等效電路
2.4 晶體管的弱點(diǎn)
2.4.1 容易受偏置電壓變化的影響
2.4.2 容易受溫度變化的影響
2.5 高明地使用晶體管進(jìn)行放大的方法
2.5.1 給集電極接入電流源,進(jìn)行電流偏置
2.5.2 給發(fā)射極接入電阻,進(jìn)行電流偏置
2.5.3 通過(guò)模擬確認(rèn)發(fā)射極電阻的效果
2.5.4 插入發(fā)射極電阻時(shí),求放大倍數(shù)的關(guān)系式
2.5.5 為什么發(fā)射極插入電阻后,抗變化的能力增強(qiáng)了?
2.5.6 用晶體管變換阻抗
2.6 能克服這些弱點(diǎn)的差動(dòng)放大電路
2.6.1 輸入電壓被兩個(gè)晶體管均等地分配
2.6.2 溫度或電壓發(fā)生變動(dòng)時(shí),差動(dòng)放大電路可以穩(wěn)定工作
2.6.3 電流偏置是晶體管電路的基本偏置方法
小結(jié)
第3章 用晶體管制作電流源
3.1 在與電壓源的比較中熟悉電流源的性質(zhì)
3.1.1 電壓源——即使輸出電流改變,電壓也不改變
3.1.2 電流源——即使輸出電壓改變,流過(guò)的電流也不改變
3.2 用1個(gè)晶體管制作電流源
3.2.1 輸出阻抗的模擬分析
3.2.2 得到了ro=∞Ω的不現(xiàn)實(shí)的解析結(jié)果
3.2.3 晶體管的模擬模型的分析
3.2.4 初始效應(yīng)體現(xiàn)在模型中,再次進(jìn)行解析
3.2.5 通過(guò)計(jì)算進(jìn)行確認(rèn)
3.2.6 加進(jìn)輸出電阻后,得到接近實(shí)際的晶體管特性的等效電路
3.3 電流源在差動(dòng)放大電路中的應(yīng)用
3.3.1 如果把集電極電阻RC也置換成電流源,就可以得到非常高的增益
3.3.2 電壓增益與集電極電流無(wú)關(guān)
3.4 進(jìn)一步提高電流源的輸出阻抗的技巧
3.4.1 通過(guò)發(fā)射極電阻提高輸出阻抗
3.4.2 通過(guò)發(fā)射極電阻加反饋,能使集電極電流穩(wěn)定
3.4.3 更精密地控制負(fù)反饋——增大回路的放大倍數(shù)
3.4.4 用模擬的方法確認(rèn)插入發(fā)射極電阻提高輸出阻抗的問(wèn)題
3.4.5 用等效電路分析插入發(fā)射極電阻提高輸出阻抗的問(wèn)題
3.4.6 插入發(fā)射極電阻,降低了輸出電壓范圍
3.4.7 希望獲得更高的輸出阻抗時(shí),采用共射共基放大器連接
3.4.8 希望進(jìn)一步提高輸出阻抗時(shí)——BJT
3.4.9 希望獲得更高的輸出阻抗時(shí)——FET
小結(jié)
第4章 復(fù)制電流的電流反射鏡電路
4.1 基本的電流反射鏡電路
4.1.1 使用晶體管的電流源的改進(jìn)型
4.1.2 通過(guò)模擬確認(rèn)電流反射鏡電路的工作
4.2 各種電流反射鏡電路
4.2.1 多輸出型電流反射鏡電路
4.2.2 電流比為1∶2的電流反射鏡電路
4.2.3 電流比為2∶1的電流反射鏡電路
4.2.4 電流比為M∶N的電流反射鏡電路
4.3 電流復(fù)制時(shí)的誤差
4.3.1 基極電流引起誤差的機(jī)理
4.3.2 追加晶體管,減小基極電流引起的誤差
4.3.3 既能減小基極電流引起的誤差又提高了穩(wěn)定性的威爾森電流反射鏡電路
4.3.4 基極電流誤差以外的復(fù)制誤差
4.3.5 與差動(dòng)放大電路組合,可以無(wú)拘束地輸入輸出電流
4.4 復(fù)雜的電流反射鏡電路
4.4.1 基于零增益放大器的電流源
4.4.2 任意倍率的電流反射鏡電路
4.5 電流反射鏡的應(yīng)用:D-A轉(zhuǎn)換器
4.5.1 D-A轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)
4.5.2 電流輸出型D-A轉(zhuǎn)換器的工作
小結(jié)
第5章 復(fù)制電壓的射極跟隨器電路
5.1 復(fù)制電壓
5.1.1 電壓復(fù)制電路必備的性質(zhì)
5.1.2 電壓復(fù)制電路的基本應(yīng)用
5.2 用晶體管復(fù)制電壓
5.2.1 輸入輸出電壓的關(guān)系
5.2.2 射極跟隨器
5.2.3 輸出電壓的變動(dòng)
5.2.4 阻抗變換
5.2.5 最大供給電流
5.3 射極跟隨器的應(yīng)用電路
5.3.1 簡(jiǎn)易型恒壓源電路
5.3.2 使用齊納二極管的恒壓源電路
5.3.3 達(dá)林頓連接
5.3.4 不同極性的達(dá)林頓連接
5.3.5 反向達(dá)林頓連接
5.3.6 對(duì)吸入和吐出都沒(méi)有限制的推挽射極跟隨器
5.3.7 菱形電路
5.3.8 失真補(bǔ)償型跟隨器
小結(jié)
第6章 OP放大器的基礎(chǔ)與負(fù)反饋的機(jī)構(gòu)
6.1 OP放大器概要
6.1.1 OP放大器的三個(gè)性質(zhì)
6.1.2 加上負(fù)反饋,OP放大器接近理想的放大器
6.2 認(rèn)識(shí)OP放大器的第一步——負(fù)反饋的作用
6.2.1 理解人工OP放大器中負(fù)反饋的機(jī)構(gòu)
6.2.2 人工OP放大器的響應(yīng)
6.2.3 負(fù)反饋動(dòng)作
6.3 OP放大器的增益與負(fù)反饋后電路的性能
6.3.1 如果OP放大器的增益大,非反轉(zhuǎn)輸入端與反轉(zhuǎn)輸入端的電壓就變得相等
6.3.2 在OP放大器的增益小的情況下,輸入輸出增益不是1/β
6.3.3 在OP放大器的增益大的情況下,加負(fù)反饋后的增益接近1/β
6.4 OP放大器對(duì)交流信號(hào)的響應(yīng)
6.4.1 使用晶體管的OP放大器的響應(yīng)速度
6.4.2 當(dāng)響應(yīng)過(guò)于快時(shí),有時(shí)會(huì)發(fā)生振蕩
6.5 加負(fù)反饋后的性能由環(huán)路增益決定
6.5.1 負(fù)反饋電路的輸入輸出關(guān)系的一般表達(dá)式
6.5.2 環(huán)路增益越大,輸入輸出增益越接近1/β
小結(jié)
第7章 用晶體管制作的OP放大器:基礎(chǔ)篇
7.1 一個(gè)晶體管的OP放大器
7.2 基于差動(dòng)對(duì)和電阻負(fù)載的OP放大器
7.3 基于差動(dòng)對(duì)和電流反射鏡負(fù)載的OP放大器
7.4 基于差動(dòng)對(duì)、電流反射鏡、發(fā)射極接地電路的OP放大器
7.5 基于差動(dòng)對(duì)、電流反射鏡、發(fā)射極接地電路、電壓緩沖器的OP放大器
7.6 轉(zhuǎn)換速率
7.6.1 通過(guò)模擬確認(rèn)
7.6.2 發(fā)生轉(zhuǎn)換的原因
7.6.3 改善轉(zhuǎn)換速率的方法
7.6.4 基于發(fā)射極退化改善轉(zhuǎn)換速率的缺點(diǎn)
小結(jié)
第8章 用晶體管制作的OP放大器:應(yīng)用篇
8.1 折疊共射共基型OP放大器
8.1.1 折疊共射共基連接
8.1.2 折疊共射共基型的OP放大器
8.1.3 折疊共射共基型OP放大器的模擬
8.2 基于折疊共射共基和共射共基自舉的OP放大器
8.3 電流反射鏡型的OP放大器
8.4 高轉(zhuǎn)換速率的OP放大器
8.4.1 OP放大器內(nèi)部的電流源限制轉(zhuǎn)換速率
8.4.2 高轉(zhuǎn)換速率OP放大器的設(shè)計(jì)
8.4.3 高轉(zhuǎn)換速率OP放大器的模擬
8.5 基于緩沖器和電流反射鏡的電流反饋型OP放大器
8.5.1 GB積由外部的反饋電阻值決定
8.5.2 確定電流反饋型OP放大器的反饋電阻值的方法
8.5.3 電流反饋型OP放大器的模擬
小結(jié)
第9章 處理乘法運(yùn)算的乘法電路
9.1 基于對(duì)數(shù)變換的乘法電路
9.2 基于差動(dòng)放大電路的乘法電路
9.2.1 差動(dòng)放大電路實(shí)際上也是乘法電路
9.2.2 乘法運(yùn)算的狀態(tài)
9.2.3 由于差動(dòng)放大電路的傳輸特性是tanh函數(shù),所以乘法運(yùn)算不能得到正確的結(jié)果
9.3 吉伯(Gilbert)增益單元
9.3.1 用tanh-1產(chǎn)生失真后輸入
9.3.2 tanh-1電路的結(jié)構(gòu)
9.3.3 追加了tanh-1電路的電流模式乘法電路
9.3.4 直線性得到大幅度的改善
9.3.5 能夠從屬連接的寬頻帶乘法器“吉伯增益單元”
9.4 吉伯乘法器
9.4.1 擴(kuò)展為4象限乘法器
小結(jié)
第10章 高速型A-D轉(zhuǎn)換器
10.1 計(jì)時(shí)電壓比較器
10.1.1 用時(shí)鐘在工作的電壓比較器內(nèi)采樣
10.1.2 準(zhǔn)確的比較需要高的增益
10.1.3 需要多高的增益?
10.1.4 用正反饋獲得高的增益
10.2 正反饋放大電路的設(shè)計(jì)
10.2.1 簡(jiǎn)化等效電路
10.2.2 設(shè)計(jì)合成電阻RX使之成為負(fù)性電阻
10.2.3 增益隨著時(shí)間而增大
10.2.4 達(dá)到必要的增益所需的時(shí)間決定采樣頻率的極限
10.3 完成計(jì)時(shí)電壓比較器
10.3.1 追加變換計(jì)時(shí)控制電路
10.3.2 追加提供初始電壓的電路
10.3.3 把計(jì)時(shí)控制電路和提供初始電壓的電路組合到正反饋放大電路中
10.3.4 偏置電流I0和負(fù)載電阻R1、R2的常數(shù)確定
10.3.5 時(shí)常數(shù)的確認(rèn)
10.3.6 最高時(shí)鐘頻率是11MHz
10.4 通過(guò)模擬確認(rèn)動(dòng)作
10.4.1 計(jì)時(shí)電壓比較器的模擬
10.4.2 2bit高速型A-D轉(zhuǎn)換器工作的模擬
10.4.3 解析結(jié)果:A-D轉(zhuǎn)換器與所期待的一致
小結(jié)
第11章 ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器
11.1 環(huán)路增益減小失真和噪聲
11.1.1 OP放大器與ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器很相似
11.1.2 環(huán)路增益減小末級(jí)的失真和噪聲
11.1.3 給回路的一部分加以數(shù)字信號(hào)
11.1.4 ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器
11.1.5 分辨率提高了,頻帶卻變窄了
11.1.6 高階的回路濾波器使特性得到改善
11.1.7 最終的輸出需要經(jīng)濾波取出
11.1.8 即使1bit的數(shù)字路徑也OK
11.2 低通ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器
11.2.1 gm-C濾波器
11.2.2 未知參數(shù)的確定
11.2.3 狀態(tài)模型(behavior model)
11.2.4 內(nèi)部8bitΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器的狀態(tài)模擬
11.2.5 環(huán)路濾波器的調(diào)整
11.2.6 內(nèi)部3bit型ΔΣA-D轉(zhuǎn)換器
11.2.7 S/N的測(cè)量方法
11.2.8 內(nèi)部1bitΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器
11.3 低通ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器的晶體管化
11.3.1 內(nèi)部1bit的A-D轉(zhuǎn)換器
11.3.2 內(nèi)部1bit的D-A轉(zhuǎn)換器
11.3.3 跨導(dǎo)
11.3.4 調(diào)整
11.4 頻帶路徑型ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器
11.4.1 中間頻率的A-D轉(zhuǎn)換
11.4.2 行為頻帶路徑ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
11.4.3 行為頻帶路徑ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器的模擬
11.4.4 頻帶路徑ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器的晶體管化
11.4.5 晶體管化的頻帶路徑ΔΣ型A-D轉(zhuǎn)換器的模擬
小結(jié)
第12章 應(yīng)用跨導(dǎo)線性原理
12.1 所謂跨導(dǎo)線性原理
12.1.1 定義
12.1.2 用雙極晶體管電路能夠表現(xiàn)任意函數(shù)
12.1.3 跨導(dǎo)線性原理的推導(dǎo)
12.1.4 溫度變化時(shí),跨導(dǎo)線性電路是穩(wěn)定的
12.2 基本的函數(shù)的合成
12.2.1 一次方電路
12.2.2 二次方電路
12.2.3 n次方電路
12.2.4 除法電路
12.2.5 乘法電路
12.2.6 用晶體管電路作成計(jì)算x2+2x+1的電路
12.3 有多個(gè)跨導(dǎo)線性回路情況下的解析方法
12.4 計(jì)算矢量振幅的電路
12.4.1 計(jì)算二維矢量振幅的電路
12.4.2 計(jì)算三維矢量振幅的電路
12.5 回路內(nèi)有并聯(lián)連接的晶體管時(shí)的解析方法
12.6 絕對(duì)值電路
12.6.1 正、負(fù)值的輸入輸出
12.6.2 函數(shù)的分解
12.6.3 輸入電路
12.6.4 輸出電路
12.6.5 把輸入電路與輸出電路組合起來(lái)
12.7 2象限平方電路
12.8 三角函數(shù)發(fā)生電路
12.8.1 差動(dòng)結(jié)構(gòu)分解
12.8.2 發(fā)生三角函數(shù)
12.8.3 正弦波函數(shù)電路的模擬
小結(jié)
第13章 把文字描繪到示波器上的電路
13.1 把文字“Q”描繪在示波器上
13.1.1 給示波器輸入信號(hào)的條件
13.1.2 生成平滑信號(hào)
13.2 把三角波變換為平滑信號(hào)的晶體管電路
13.2.1 1級(jí)差動(dòng)對(duì)的輸入輸出特性——y=tanh x
13.2.2 擴(kuò)大線性范圍
13.2.3 峰狀特性
13.2.4 正弦波狀
13.2.5 改變峰的高度
13.3 文字“Q”的生成電路
13.3.1 把差動(dòng)對(duì)巧妙地組合起來(lái),作成“Q”生成電路
13.3.2 把tanh函數(shù)轉(zhuǎn)換成電路
13.3.3 移動(dòng)電壓的標(biāo)定
13.3.4 用電阻和電流源作成電壓移動(dòng)電路
13.3.5 尾電流值的設(shè)定
13.4 實(shí)際的電路
13.4.1 電路與電流源
13.4.2 在文字“Q”電路與信號(hào)源之間插入偏置電路
13.5 試制與工作的確認(rèn)
13.5.1 基板的制作與連接
13.5.2 工作
小結(jié)
第14章 正確施加負(fù)反饋
14.1 用煤氣熱水器體驗(yàn)不穩(wěn)定的反饋
14.1.1 手動(dòng)控制煤氣量時(shí)水的溫度不穩(wěn)定
14.1.2 不穩(wěn)定的主要原因是“遲鈍”
14.1.3 巧妙地施加反饋的方法——慢慢地控制
14.1.4 知道輸出結(jié)果之前施加前饋控制
14.2 用人工OP放大器體驗(yàn)不穩(wěn)定現(xiàn)象
14.2.1 關(guān)注電子電路工作滯后的“相位滯后”問(wèn)題
14.2.2 人工OP放大器
14.2.3 體驗(yàn)不穩(wěn)定的工作
14.2.4 增加放大級(jí)數(shù)會(huì)產(chǎn)生相位滯后,使環(huán)路變得不穩(wěn)定
14.3 負(fù)反饋放大器產(chǎn)生振蕩的條件
14.3.1 振蕩的機(jī)理
14.3.2 振蕩難易的指標(biāo):相位余量和增益余量
14.3.3 電源電壓與振蕩條件
14.3.4 振蕩的條件
14.4 伯德圖的畫(huà)法與使用方法
14.4.1 RC低通濾波器的頻率特性
14.4.2 伯德圖的描繪方法
14.4.3 使用伯德圖也可以簡(jiǎn)單地求得放大電路的合成增益
14.4.4 使用伯德圖,簡(jiǎn)單地理解相位補(bǔ)償?shù)姆椒?br />14.5 晶體管放大電路的穩(wěn)定性
14.5.1 頻率解析的第一步從理解晶體管的等效電路開(kāi)始
14.5.2 3級(jí)放大電路的頻率特性
14.5.3 頻帶寬的放大器
14.5.4 簡(jiǎn)單的相位補(bǔ)償方法
14.6 從環(huán)路增益的頻率特性理解穩(wěn)定的程度
14.6.1 OP放大器的相位補(bǔ)償概要
14.6.2 反饋率與穩(wěn)定性的關(guān)系
14.6.3 穩(wěn)定工作的條件
14.6.4 要求更高的穩(wěn)定性時(shí),需要犧牲GB積
14.6.5 消除基于零點(diǎn)的極點(diǎn)的例子
14.7 OP放大器穩(wěn)定性的討論
14.7.1 用兩個(gè)放大級(jí)構(gòu)成的電路的模擬解析
14.7.2 基于模擬的解析方法——不切斷回路,解析環(huán)路增益的頻率特性
14.7.3 具體的解析方法
14.7.4 結(jié)果:在相位余量為-20°處開(kāi)始不穩(wěn)定
14.7.5 尋找主極點(diǎn)和2次極點(diǎn)
14.8 相位補(bǔ)償法
14.8.1 窄頻帶法
14.8.2 米勒補(bǔ)償法
小結(jié)
Appendix A 從半導(dǎo)體物理看到的雙極晶體管的工作
Appendix B 米勒補(bǔ)償?shù)脑砼c極點(diǎn)分離
Appendix C 正確地解析環(huán)路增益的方法
Appendix D 修正節(jié)點(diǎn)解析法
科學(xué)出版社下載區(qū)中有關(guān)本書(shū)的內(nèi)容與使用方法
（2）《晶體管電路》正版圖書(shū)
第1章 半導(dǎo)體的性質(zhì)
1.1 活躍在半導(dǎo)體中的電子
1.2 電子技術(shù)的核心是半導(dǎo)體
1.3 p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體有機(jī)結(jié)合形成二極管
1.4 特殊二極管和二極管的使用方法
本章小結(jié)
第2章 晶體三極管的作用
2.1 晶體三極管是p型和n型半導(dǎo)體的有機(jī)結(jié)合
2.2 晶體三極管究竟起著什么樣的作用
2.3 晶體三極管的使用方法
2.4 用靜態(tài)特性描述晶體三極管的伏-安特性
本章小結(jié)
第3章 晶體三極管放大電路的基礎(chǔ)
3.1 簡(jiǎn)單的放大電路的工作原理
3.2 偏置的必要性和偏置電路
3.3 如何確定偏置電路的電阻值
3.4 根據(jù)特性曲線求角偏置和放大倍數(shù)的方法
3.5 用晶體三極管的四個(gè)參數(shù)畫(huà)出等效電路
3.6 利用等效電路求取放大倍數(shù)的方法、
本章小結(jié)
第4章 各種各樣的放大電路
4.1 兩級(jí)低頻RC耦合電壓放大電路
4.2 負(fù)反饋放大電路
4.3 射極跟隨放大電路和直接耦合放大電路
本章小結(jié)
第5章 功率放大電路
5.1 功率放大電路的基本事項(xiàng)
5.2 甲類(lèi)功率放大電路
5.3 乙類(lèi)推挽功率放大電路
本章小結(jié)
第6章 高頻放大電路
第7章 振蕩電路
第8章 頻率變換電路
第9章 調(diào)制與解調(diào)電路
第10章 電源電路
第11章 脈沖電路
（3）《各種晶體管電路技術(shù)內(nèi)部資料匯編》正版光盤(pán)(1張)，有2000多頁(yè)內(nèi)容,獨(dú)家資料
1 設(shè)計(jì)基于鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FINFET)的電路的方法及其實(shí)施系統(tǒng)
2 一種對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行建模的方法及電路仿真方法
3 氮化鎵晶體管的驅(qū)動(dòng)方法、電路及應(yīng)用其電路的反激變換器
4 用于在功率晶體管電路中切換循環(huán)的方法
5 控制電路中晶體管的短路保護(hù)方法
6 碳納米管薄膜晶體管、AMOLED像素柔性驅(qū)動(dòng)電路及制作方法
7 包括鰭形場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路器件及其形成方法
8 一種集成結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的自舉電路及自舉方法
9 一種用于晶體管開(kāi)關(guān)的過(guò)壓保護(hù)電路及方法
10 一種晶體管、驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置
11 雙極性晶體管像素電路、其驅(qū)動(dòng)方法以及影像傳感器
12 使用雙極晶體管陣列的PUF方法和含雙極晶體管陣列的電路
13 帶靜電釋放保護(hù)電路的溝槽式MOS晶體管的制造方法
14 一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備
15 晶體管測(cè)試電路以及測(cè)試方法
16 閘流晶體管,觸發(fā)閘流晶體管的方法和閘流晶體管電路
17 一種晶體管、集成電路以及集成電路的制造方法
18 集成電路及制造具有包覆非平面晶體管結(jié)構(gòu)的集成電路的方法
19 包含多柵極晶體管的電荷泵電路及其操作方法
20 半導(dǎo)體器件、制造方法以及晶體管電路
21 具有多個(gè)雙極晶體管的電路以及用于控制該電路的方法
22 一種功率晶體管、功率晶體管電路以及其操作方法
23 晶體管驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)方法
24 制造雙極晶體管的方法、雙極晶體管和集成電路
25 一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、GOA電路及顯示裝置
26 尤其通過(guò)平衡晶體管感測(cè)一對(duì)雙信號(hào)線上的電壓差的電路和方法
27 包括功率晶體管的電子控制電路和監(jiān)控功率晶體管的使用壽命的方法
28 共通電壓補(bǔ)償電路、補(bǔ)償方法及其薄膜晶體管液晶顯示器
29 絕緣柵雙極型晶體管的短路保護(hù)電路和方法
30 一種用于MOS晶體管模擬集成電路的小信號(hào)分析方法
31 場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作點(diǎn)狀態(tài)重置電路、方法及其OLED顯示器
32 薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、液晶顯示裝置
33 在功率晶體管中集成自舉電路元件的系統(tǒng)和方法
34 MOS晶體管測(cè)試電路及對(duì)應(yīng)的測(cè)試方法
35 用于測(cè)量晶體管的特性的電壓檢測(cè)電路和方法
36 基于薄膜晶體管的微波毫米波集成電路、功率交換電路及其制作方法
37 對(duì)雙極型晶體管進(jìn)行仿真的方法及雙極型晶體管仿真電路
38 電磁諧振控制電路、電磁加熱裝置和晶體管的控制方法
39 確定晶體管的溫度的電路和方法
40 限制電路和用于限制半導(dǎo)體晶體管上的電壓的方法
41 用于具有晶體管片段的集成電路的系統(tǒng)和方法
42 包含氧化物薄膜晶體管的基板、其制造方法及驅(qū)動(dòng)電路
43 具有埋藏鞍形鰭式場(chǎng)效晶體管的SRAM集成電路及其制造方法
44 薄膜晶體管、電路及其制造方法及顯示裝置
45 NMOS晶體管及其形成方法、SRAM存儲(chǔ)單元電路
46 MOS晶體管及其形成方法、SRAM存儲(chǔ)單元電路
47 MOS晶體管及其形成方法、SRAM存儲(chǔ)單元電路
48 一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管背板
49 包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)陣列的第一存儲(chǔ)單元晶體管的集成電路(IC)及其制作方法
50 感測(cè)電路與感測(cè)并補(bǔ)償晶體管的臨界電壓偏移的方法
51 用于對(duì)晶體管進(jìn)行操控的方法以及操控電路
52 有電流測(cè)量單元的集成功率晶體管電路裝置及其制造方法
53 薄膜晶體管的溝道形成方法及補(bǔ)償電路
54 包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的集成電路及其制造和操作方法
55 懸浮柵晶體管及其制作方法、應(yīng)用方法、顯示器驅(qū)動(dòng)電路
56 功率放大晶體管電路及提高其穩(wěn)定性的方法
57 雙極晶體管制造方法、雙極晶體管和集成電路
58 晶體管及其制造方法和降低RTS噪聲的圖像傳感器電路
59 將雙極性結(jié)型晶體管用于緩沖電路的方法和緩沖電路
60 將雙極性結(jié)型晶體管用于緩沖電路的方法和緩沖電路
61 通過(guò)三維集成技術(shù)制造高性能碳納米管晶體管集成電路的方法
62 具有改進(jìn)的硅化物厚度均勻性的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成電路和其制造方法
63 一種晶體管關(guān)鍵參數(shù)的可尋址測(cè)試電路及其測(cè)試方法
64 一種具備快速泄放晶體管寄生電容電荷的開(kāi)關(guān)電路及其電荷泄放方法
65 溝槽式MOS晶體管及其制造方法、集成電路
66 溝槽式MOS晶體管及其制造方法、集成電路
67 半導(dǎo)體器件、制造方法以及晶體管電路
68 包括雙極型晶體管的集成電路及其制造方法
69 半導(dǎo)體晶體管的制造方法、使用了由該方法制造的半導(dǎo)體晶體管的驅(qū)動(dòng)電路、包括該驅(qū)動(dòng)電路和顯示元件的像素電路、該像素電路配置成行列狀的顯示面板、以及具有該顯示面板的顯示裝置
70 控制電路、晶體管的控制系統(tǒng)和方法以及器件
71 用于傳輸晶體管柵極電壓的多電平控制電路、方法及其系統(tǒng)
72 半導(dǎo)體基板、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、集成電路和半導(dǎo)體基板的制造方法
73 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管制造方法和包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集成電路
74 金屬柵極晶體管、集成電路、系統(tǒng)及其制造方法
75 形成UMOS晶體管和ESD電路的方法
76 提高薄膜晶體管像素充電能力的驅(qū)動(dòng)電路及方法
77 雙極型晶體管參數(shù)提取方法及其等效電路
78 非線性電路的晶體管級(jí)分段線性建模及模型降階方法
79 開(kāi)關(guān)晶體管驅(qū)動(dòng)信號(hào)的脈沖調(diào)制方法及脈沖調(diào)制電路
80 形成場(chǎng)效晶體管的方法及形成集成電路的方法
81 集成電路、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
82 雙極結(jié)型晶體管、雙極CMOS集成電路及制造方法
83 形成高鍺濃度的硅鍺應(yīng)力源的方法及集成電路晶體管結(jié)構(gòu)
84 一種鰭型隧穿晶體管集成電路及其制造方法
85 雙極晶體管、雙極晶體管的形成方法及帶隙基準(zhǔn)電路
86 雙極晶體管及其形成方法、虛擬接地電路
87 具有高電壓晶體管的集成電路系統(tǒng)及其制造方法
88 金屬柵極晶體管、集成電路以及其制造方法
89 用于使用金屬絕緣體轉(zhuǎn)變裝置來(lái)控制晶體管的輻射熱的方法和電路
90 包含DMOS晶體管的集成電路的制備方法
91 凹陷溝道型PNPN場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路及其制造方法
92 薄膜晶體管電路、其驅(qū)動(dòng)方法和發(fā)光顯示裝置
93 鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管熔絲的操作方法以及集成電路結(jié)構(gòu)
94 基于頂柵結(jié)構(gòu)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成電路的制備方法
95 用于可編程晶體管陣列的電路和方法
96 晶體管功率放大器的輸入電路和設(shè)計(jì)這種電路的方法
97 具有倒T形鰭片多重柵晶體管的集成電路結(jié)構(gòu)及形成方法
98 薄膜晶體管電路、發(fā)光顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
99 晶體管型保護(hù)器件、半導(dǎo)體集成電路及其制造方法
100 異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路以及用于制造異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
101 提高低溫下金屬氧化物晶體管耐壓強(qiáng)度的方法和電路裝置
102 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管和單片電路臺(tái)形接地通孔的制作方法
103 用低壓MOS晶體管耐高壓的解碼電路和實(shí)現(xiàn)方法
104 保護(hù)雙極性晶體管電路的間隙壁制造方法
105 提高CMOS晶體管抗輻照的方法、CMOS晶體管及集成電路
106 薄膜晶體管陣列電路缺陷修補(bǔ)的實(shí)時(shí)檢測(cè)方法
107 MOS晶體管噪聲模型形成方法、裝置和電路模擬方法
108 形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法、多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路
109 層壓體、導(dǎo)電性圖案形成方法和由此得到的導(dǎo)電性圖案、印刷電路基板和薄層晶體管、以及使用它們的裝置
110 具有剪裁的電介質(zhì)的P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及方法和集成電路
111 晶體管電路與晶體管電路控制方法
112 雙極型晶體管結(jié)電容測(cè)試電路及測(cè)試方法
113 用于驅(qū)動(dòng)放大器輸入晶體管的體電容的電路和方法
114 形成場(chǎng)效晶體管的方法及形成包含晶體管柵極陣列及在所述柵極陣列外圍的電路的集成電路的方法
115 場(chǎng)效應(yīng)晶體管、包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管的邏輯電路及制造方法
116 集成電路內(nèi)雙極晶體管性能的調(diào)整方法及其制造方法
117 包括離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管的信號(hào)處理電路以及監(jiān)控流體屬性的方法
118 一種打印系統(tǒng)、打印方法以及打印薄膜晶體管和RLC電路的方法
119 晶體管控制電路和控制方法、以及使用該電路的有源矩陣顯示設(shè)備
120 柵極驅(qū)動(dòng)電路、具有其的液晶顯示器以及制造薄膜晶體管基板的方法
121 MOS晶體管射頻電路仿真宏模型及其參數(shù)提取方法
122 EEPROM外圍電路中高壓NMOS場(chǎng)晶體管的溝道結(jié)構(gòu)及制作方法
123 場(chǎng)效應(yīng)晶體管、集成電路元件及其制造方法
124 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管保護(hù)電路及其制造方法
125 電路圖案、薄膜晶體管及電子設(shè)備的制造方法
126 制造平面隔離物以及相關(guān)的雙極晶體管及BiCMOS電路裝置的方法
127 用多誤差放大電路的晶體管驅(qū)動(dòng)電路、恒定電壓電路及方法
128 薄膜晶體管陣列及其驅(qū)動(dòng)電路的制造方法
129 薄膜晶體管集成電路裝置、有源矩陣顯示裝置及其制造方法
130 晶體管電路、象素電路、顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
131 晶體管裝置、集成電路及運(yùn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
132 薄膜晶體管液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電路及其降低功耗方法
133 高電子遷移率晶體管電路T型柵制作方法
134 MOS晶體管、CMOS集成電路器件及相關(guān)制造方法
135 薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管、集成電路、液晶顯示裝置和使用了網(wǎng)目調(diào)型掩模的曝光方法
136 具有npn和pnp雙極晶體管的集成電路裝置及相應(yīng)的制造方法
137 包含隔離溝槽和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路裝置及相關(guān)制造方法
138 縱向雙極晶體管的制造方法和集成電路
139 電路布置和晶體管控制方法
140 晶體管集成電路裝置及其制造方法
141 晶體管和半導(dǎo)體電路的制造方法
142 薄膜晶體管的電路、設(shè)計(jì)方法和程序、設(shè)計(jì)程序記錄介質(zhì)
143 包含電容器及較佳平面式晶體管的集成電路裝置及制造方法
144 具有應(yīng)變與無(wú)應(yīng)變晶體管的集成電路及其制造方法
145 薄膜晶體管及其制造方法、電路、顯示裝置和電子機(jī)器
146 形成具有不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路器件的方法
147 集成電路以及形成用于晶體管柵電極的隔離層的方法
148 集成電路晶體管與其形成方法
149 含有場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成電路及其制造方法
150 集成電路元件與晶體管元件以及微電子元件及其制造方法
151 場(chǎng)效應(yīng)晶體管、集成電路及制造方法
152 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,集成電路以及形成集成電路的方法
153 薄膜晶體管及其制造方法、其電路、電子器件及電子設(shè)備
154 薄膜晶體管顯示器數(shù)組的測(cè)試電路及方法
155 垂直DMOS晶體管裝置、集成電路及其制造方法
156 薄膜晶體管電路器件及其制造方法、以及液晶顯示設(shè)備
157 包括基準(zhǔn)電流源晶體管的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器電路及操作方法
158 場(chǎng)效應(yīng)晶體管、包括FET的集成電路及其形成方法
159 薄膜晶體管及其電路的制作方法
160 電極及其形成方法、薄膜晶體管、電子電路、顯示裝置
161 絕緣柵型雙極晶體管及其制造方法以及變流電路
162 多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的電路布局方法
163 一種源漏下陷型超薄體SOIMOS晶體管及其集成電路的制作方法
164 半導(dǎo)體集成電路、電子機(jī)器及晶體管的背柵電位控制方法
165 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電路和方法
166 薄膜晶體管陣列及其驅(qū)動(dòng)電路的制造方法
167 晶體管的工作點(diǎn)設(shè)定方法和電路信號(hào)成分值變更方法以及有源矩陣型液晶顯示裝置
168 面向工藝移植的晶體管級(jí)集成電路優(yōu)化方法
169 晶體管、集成電路、電光裝置、電子設(shè)備及其制造方法
170 使用電子束輻射形成增強(qiáng)晶體管柵極的方法及包括該晶體管柵極的集成電路
171 引入了晶體管的擴(kuò)散長(zhǎng)度依賴性的電路仿真裝置以及用于生成晶體管模型的方法
172 硅-雙極型晶體管,電路設(shè)置和制造硅-雙極型晶體管的方法
173 功率晶體管的補(bǔ)償電路和方法
174 薄膜晶體管液晶顯示器的靜電放電保護(hù)電路和方法
175 具有分級(jí)基區(qū)的橫向晶體管,半導(dǎo)體集成電路及制造方法
176 充電電池保護(hù)電路用功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的覆晶安裝方法
177 具有硅－鍺(Sii－x－Gex)門(mén)極MOS晶體管的集成CMOS電路的半導(dǎo)體裝置及其生產(chǎn)方法
178 使用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的保護(hù)電路裝置及其制造方法