詳細(xì)信息
聯(lián)
015 具有垂直光器的圖像傳感器及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種包括垂直光器的圖像傳感器及其相關(guān)制造方法。該圖像傳感器包括堆疊的多個具有不同光靈敏度的光電轉(zhuǎn)換層，每個分別由介電阻擋層分隔開。
系
012 包括靜電電容傳感器的混合傳感器
[摘要] 一種通過堆疊多個撓性片而形成的混合傳感器，其中每個撓性片被提供有電極圖案。所述混合傳感器包括接觸壓力傳感器，其具有通過壓力負(fù)荷接通或者斷開的開關(guān)，以及靜電電容傳感器，其鄰近對象而不與所述對象接觸。所述電極圖案包括作為所述接觸壓力傳感器的開關(guān)的開關(guān)電極圖案以及作為所述靜電電容傳感器的電極的電極圖案。所述電極被形成以基本上覆蓋除了其上形成所述開關(guān)電極圖案的區(qū)域之外的整個區(qū)域。
電
022 像素傳感器以及形成與掩埋光電的接觸的方法
[摘要] 本技術(shù)提供了掩埋在半導(dǎo)體材料中的垂直堆疊光電二極管，其被深槽隔離和選擇性接觸。本技術(shù)的一個實(shí)施例提供了一種像素傳感器，包括：多個在襯底上形成的光敏單元，每個光敏單元適于產(chǎn)生光致電荷以響應(yīng)電磁輻射；以及多個光致電荷遷移器件，每個光致電荷遷移器件與至少一個所述多個光敏單元耦合。
話
013 磁阻層系統(tǒng)和具有這種層系統(tǒng)的傳感器元件
[摘要] 提出一種磁阻層系統(tǒng)(5)，其中在特別基于GMR效應(yīng)或AMR效應(yīng)基本原理工作的一個磁阻層堆疊(14)的周圍設(shè)有一個層結(jié)構(gòu)(15)，該層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一個合成磁場，該合成磁場作用于磁阻層堆疊(14)。層結(jié)構(gòu)(15)具有一個第一磁層(12)和一個第二磁層(13)，它們通過一個非磁中間層(11)彼此分開，并通過中間層(11)鐵磁交換耦合。此外還提出特別是用于磁場強(qiáng)度和方向的傳感器元件，其具有一個這樣的磁阻層系統(tǒng)(5)。
0
016 用于高分辨率CMOS圖像傳感器的堆疊式像素
[摘要] 提供了一種固態(tài)CMOS圖像傳感器，特別是一種具有堆疊式光位點(diǎn)、高靈敏度和低暗電流的CMOS圖像傳感器。在包括像素陣列的圖像傳感器中，每個像素包括：標(biāo)準(zhǔn)光感測和電荷存儲區(qū)域，其形成于基片的表面部分下的第一區(qū)域中，且收集產(chǎn)生光的載流子；第二電荷存儲區(qū)域，其相鄰于所述基片的表面部分而形成，且與所述標(biāo)準(zhǔn)光感測和電荷存儲區(qū)域分離；以及勢壘，其形成于所述第一區(qū)域與所述第一區(qū)域之下的第二區(qū)域之間，且將所述產(chǎn)生光的載流子從所述第二區(qū)域轉(zhuǎn)向至所述第二電荷存儲區(qū)域。
2
019 垂直濾色片傳感器組及其制造所用的半導(dǎo)體集成電路制造方法
8
008 具有分段定子的無傳感器開關(guān)磁阻電機(jī)
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014 含有鐵磁/反鐵磁靈敏元件的磁致電阻傳感器
8
028 圖像傳感器及其制造方法
1
026 用于容納和分配傳感器的盒子
5
029 CMOS圖像傳感器封裝
0
021 帶有載流子收集單元的垂直濾色片傳感器組
4
027 多層壓電致動器或壓電傳感器的接觸
4
006 電流垂直于平面的磁阻傳感器
1
010 具有垂直溢漏和短的微透鏡到硅的距離的圖像傳感器
6
025 傳感器分配裝置和抽出傳感器的機(jī)構(gòu)
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1
011 制造CMOS圖像傳感器的方法
8
024 電流垂直平面磁致電阻傳感器
9
031 影像傳感器封裝構(gòu)造
8
009 具有堆疊內(nèi)縱向偏置層結(jié)構(gòu)的三端子磁傳感器
2
023 在磁阻傳感器中用于改進(jìn)交換偏置結(jié)構(gòu)的斜角蝕刻的襯層
1
002 電機(jī)傳感器
9
030 用于微電子等離子體處理工具的高性能微型射頻傳感器
0
005 制造用于大容量存儲設(shè)備讀寫頭的讀傳感器的方法和工藝
2
001 從多堆疊傳感器陣列讀取像素信號的方法
3
020 垂直的濾色片傳感器組
0
018 傳感器器件、傳感器系統(tǒng)及其制造方法
以上30項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)，售價230元，光盤編號：A5000-35123。
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