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033 具彈性緩沖導(dǎo)電接腳的晶片電容器
[摘要] 一種具彈性緩沖導(dǎo)電接腳的晶片電容器。為提供一種避免受力損毀、耐高壓防跳火的電容器，提出本技術(shù)，它包含兩端設(shè)有電極的電容器本體、包覆于電容器本體外部的絕緣層及自電容器本體兩端電極延伸設(shè)置并凸出于絕緣層以供焊接固著于電路板上的兩導(dǎo)電接腳。
027 具有高弛豫和低堆垛層錯(cuò)缺陷密度的薄SGOI晶片的制作方法
[摘要] 一種形成絕緣體上硅鍺(SGOI)結(jié)構(gòu)的方法。硅鍺層(104)被淀積(300)在SOI晶片(102，100)上。執(zhí)行硅鍺層和硅層的熱混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛層錯(cuò)缺陷密度的厚SGOI(106)。然后將硅鍺層(110)減薄(306)到所希望的最終厚度。鍺濃度、弛豫量、以及堆垛層錯(cuò)缺陷密度不被此減薄工藝改變。從而得到具有高弛豫和低堆垛層錯(cuò)缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅層(112)被淀積在此薄的SGOI晶片上。減薄的方法包括低溫(550-700℃)HIPOX或蒸汽氧化、外延工作室中的原位腐蝕、或CMP。用修整CMP、原位氫烘焙、以及應(yīng)變硅淀積過程中的硅鍺緩沖層、或利用、DCS、以及鍺烷的氣體混合物在氫環(huán)境中對晶片進(jìn)行加熱，來整平HIPOX或蒸汽氧化
021 具彈性緩沖導(dǎo)電接腳的晶片電容器
[摘要] 一種具彈性緩沖導(dǎo)電接腳的晶片電容器。為提供一種避免受力損毀、耐高壓防跳火的電容器，提出本技術(shù)，它包含兩端設(shè)有電極的電容器本體、包覆于電容器本體外部的絕緣層及自電容器本體兩端電極延伸設(shè)置并凸出于絕緣層以供焊接固著于電路板上的兩導(dǎo)電接腳。
002 透光導(dǎo)電薄膜的半導(dǎo)體晶片結(jié)合方法
[摘要] 本技術(shù)屬于半導(dǎo)體器領(lǐng)域中的一種制造器件的方法，它主要是將含有半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的基片腐蝕，另取一具有同導(dǎo)電性的基片，并鍍以一透光導(dǎo)電薄膜，再將含半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的晶片與該基片夾緊置于高溫爐中加熱一段時(shí)間以結(jié)合基片，本技術(shù)既可提高二極管的發(fā)光效率，又可以在較低溫度下被結(jié)合，同時(shí)，薄膜層也成為被結(jié)合的晶片間不同晶格常數(shù)的緩沖層，從而改良了晶體結(jié)合介面的結(jié)構(gòu)，因此本技術(shù)具有很好的實(shí)用性。
聯(lián)
023 外延晶片及元件
[摘要] 一種外延晶片，具備基板(3)、緩沖層(9)、受光層(11)、窗層(13)。緩沖層(9)形成于基板(3)上。受光層(11)形成于緩沖層(9)上。受光層(11)由具有比構(gòu)成基板(3)的材料的晶格常數(shù)更大的晶格常數(shù)的外延膜構(gòu)成。窗層(13)形成于受光層(11)上，由被與受光層(11)接觸地配置的1層或多層構(gòu)成。構(gòu)成窗層(13)的層當(dāng)中的與受光層(11)接觸的層的晶格常數(shù)比受光層(11)的晶格常數(shù)及緩沖層(9)的晶格常數(shù)當(dāng)中的任意一個(gè)較大的晶格常數(shù)更小。窗層(13)的厚度在0.2μm以上、2.0μm以下。由此，本技術(shù)提供能夠?qū)崿F(xiàn)特性的改善的外延晶片及元件。
系
034 集成電路晶片封裝
電
014 晶片加工操作臺(tái)的本地儲(chǔ)存器
話
035 晶片封裝體
0
004 修整半導(dǎo)體制造用的結(jié)構(gòu)晶片的加工液體和方法
2
029 化學(xué)機(jī)械研磨后的晶片清洗方法
8
022 利用具有碳層的傳輸掩模構(gòu)圖晶片上的光刻膠的方法
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018 用于制造增強(qiáng)晶片研磨墊的方法以及實(shí)施該方法的裝置
8
013 晶片容器的緩沖系統(tǒng)
1
030 半導(dǎo)體晶片研磨用組合物、其制造方法和研磨加工方法
5
008 晶片上減少阻抗的覆晶焊墊配置
0
028 半導(dǎo)體發(fā)光元件用外延晶片、其制造方法及半導(dǎo)體發(fā)光元件
4
007 晶片放置固定裝置
4
020 制造半導(dǎo)體器件的方法和用于切割半導(dǎo)體晶片的切割裝置
1
003 用于磷化鎵發(fā)光元件的外延晶片及磷化鎵發(fā)光元件
6
001 晶片級芯片尺寸封裝結(jié)構(gòu)及其工藝
017 在已經(jīng)移去薄層之后對包括緩沖層的晶片的再循環(huán)
1
010 在運(yùn)輸器中緩沖晶片的系統(tǒng)
8
012 使用衰減相移反射掩膜在半導(dǎo)體晶片上形成圖案的方法
9
011 集成電路晶片封裝及其封裝方法
8
015 晶片磨床構(gòu)造
2
025 減少的晶片盒
1
026 晶片用包裝物
9
032 整流晶片端子構(gòu)造
0
005 晶片上減少阻抗的覆晶焊墊配置
2
016 從其上移去層之后的包括緩沖層的晶片的機(jī)械再循環(huán)
3
009 使用衰減相移反射掩膜在半導(dǎo)體晶片上形成圖案的方法
0
024 在剝離薄層之后重復(fù)利用包含多層結(jié)構(gòu)的晶片
006 具有偶數(shù)級輸出驅(qū)動(dòng)緩沖電路的晶片
031 LED晶片的制造方法
019 光碟系統(tǒng)控制晶片及其固件程序更新方法
以上35項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)，售價(jià)230元，光盤編號：A5000-39761。
免費(fèi)貨到付款。訂購電話：028-81504416 18982190230 15328023369 QQ:89728219
備注：化工、冶金、材料、醫(yī)藥類的技術(shù)包括配方配比，制造工藝，質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和工藝流程等，機(jī)械、設(shè)備、裝置類的資料包括設(shè)計(jì)方案，設(shè)計(jì)原理，附帶有設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)原理圖紙和圖解說明，所有資料均包括技術(shù)發(fā)明人的姓名、聯(lián)系地址等信息，是企業(yè)和個(gè)人了解市場，開發(fā)技術(shù)、生產(chǎn)產(chǎn)品不可多得的參考資料。
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