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013 用于薄膜電容器的薄膜和薄膜電容器
[摘要] 講述一種用于薄膜電容器的薄膜，它由電絕緣的載體膜和敷設(shè)于其上的導(dǎo)電層構(gòu)成，其中所述的導(dǎo)電層在薄膜電容器中形成電極，而載體膜則形成電介質(zhì)。本技術(shù)的特征在于：所述的導(dǎo)電層(2)被構(gòu)造得盡可能地薄，并在所述導(dǎo)電層(2)上裝設(shè)至少一個電流線路(4，5)以便減小表面總電阻，所述的電流線路具有比所述導(dǎo)電層低的表面電阻。
031 用于薄膜冶金技術(shù)制備復(fù)合材料及金屬間化合物的裝置
[摘要] 本技術(shù)提供了一種用于薄膜冶金技術(shù)制備復(fù)合材料及金屬間化合物的裝置，它包括壓制模具、加熱裝置和溫控裝置，加熱裝置套于壓制模具的外面，溫控裝置包括置于壓制模具的頂座內(nèi)的測溫部件9，壓制模具包括模具底座3、模具套筒5和模具頂座6，模具套筒5通過模具底座3置于底座1上，模具頂座6插入模具套筒5內(nèi)，模具頂座6的下端與試樣接觸，上端與頂桿8接觸。本技術(shù)為薄膜冶金技術(shù)提供一種結(jié)構(gòu)簡單，操作方便的裝置。
040 用于薄膜的無溶劑硅氧烷脫模劑組合物，和使用該組合物的剝離薄膜
[摘要] 提供一種無溶劑可固化硅氧烷脫模劑組合物。該組合物包括(A)通過使用堿性催化劑使組分(A1)和組分(A2)在加熱下反應(yīng)得到的產(chǎn)物：(A1)含有至少兩個Si-鍵合鏈烯基的二有機(jī)聚硅氧烷，(A2)包括R3
029 用于薄膜磁記錄媒質(zhì)的粘合層
[摘要] 本技術(shù)使用非晶鋁合金的粘合層。非晶粘合層的第一鋁鈦實施例優(yōu)選含有約相等量的鋁和鈦(+/-5at.％)。非晶粘合層的第二實施例優(yōu)選含有約相等量的鋁和鈦(+/-5at.％)以及上達(dá)10at.％的Zr，5at.％的Zr是優(yōu)選的。第三實施例是鋁鉭，優(yōu)選包括從15至25at.％的鉭，20at.％是優(yōu)選的。最優(yōu)選的成分是Al50
025 用于薄膜卷帶的曝光站
[摘要] 本技術(shù)涉及一種用于在薄膜卷帶(3)的至少一個層中形成局部成形的區(qū)域的曝光站(1)，以及通過所述曝光站(1)生成的、包括具有不同光學(xué)特性的局部成形的區(qū)域的光學(xué)可變單元。所述曝光站(1)包括至少一個用于照射薄膜卷帶(3)的輻射源(11)，此外還包括一個掩膜帶(2)，該掩膜帶具有表現(xiàn)出不同光學(xué)特性的局部成形的區(qū)域，并在至少一個輻射源(11)和薄膜卷帶(3)之間的光路內(nèi)被引導(dǎo)通過一個曝光區(qū)域(18)。所述曝光站(1)具有至少兩個用于引導(dǎo)所述掩膜帶和/或所述薄膜卷帶的引導(dǎo)裝置(182，183)，所述引導(dǎo)裝置被如此設(shè)置：使得所述掩膜帶(2)在曝光區(qū)域內(nèi)平行于薄膜卷帶(3)被引導(dǎo)。本技術(shù)所述的曝光站(1)還包括耦合裝置(181，182，183，184)，用于使所述掩膜帶(2)和所述薄膜
022 用于薄膜制備的加熱控溫裝置及方法
017 用于薄膜打孔的篩網(wǎng)
001 用于薄膜電容器的薄膜及薄膜電容器
012 用于薄膜反應(yīng)器的復(fù)合材料
聯(lián)
024 用于薄膜晶體管的多晶硅薄膜和使用該多晶硅薄膜的器件
系
003 用于薄膜晶體管的多晶硅薄膜及使用該多晶硅薄膜的顯示器件
電
015 用于薄膜力學(xué)性能的單軸微拉伸試件
話
011 用于薄膜基測定的分析裝置
0
004 用于薄膜液體容器的管口部件
2
039 用于薄膜或涂層的施加或?qū)訅汗に嚨呐蛎浤て訅涸O(shè)備
8
026 用于薄膜晶體管液晶顯示器陣列的可配置式
|
042 一種用于薄膜制備的流延裝置
8
035 用于薄膜晶體管的N型半導(dǎo)體材料
1
028 用于薄膜晶體管液晶顯示器的有孔隙的散光板
5
038 用于薄膜厚度監(jiān)測的外差式反射計及其實現(xiàn)方法
0
044 用于薄膜手套生產(chǎn)線的自動取料機(jī)械手
4
016 用于薄膜鍵盤的一體化鍵帽
4
007 用于薄膜制品的可復(fù)位襻狀閉合系統(tǒng)
1
032 用于薄膜堆積的分子束源及控制分子束的量的方法
6
010 用于薄膜隔墻建筑中的改進(jìn)的擋端系統(tǒng)
033 一種用于薄膜晶體管的灰度調(diào)制裝置
1
023 用于薄膜染色的粉末狀顏料制劑
8
018 用于薄膜包衣的攪拌筒
9
036 用于薄膜晶體管的N型半導(dǎo)體材料
8
043 用于薄膜材料拉伸力學(xué)性能的拉伸夾具
2
008 用于薄膜導(dǎo)體的電接插件
1
006 用于薄膜材料的沉積和/或表面改性的電子束/微波氣體噴射PECVD方法和設(shè)備
9
002 薄膜電容器及用于薄膜電容器的薄膜
0
014 用于薄膜沉積的方法和吸氣裝置
2
021 用于薄膜形成裝置的基片交換單元和基片交換的方法
3
041 用于薄膜通氣的模塊
0
027 用于薄膜形成的分子供應(yīng)源
020 用于薄膜材料拉伸力學(xué)性能的拉伸夾具
037 用于薄膜沉積的旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器及使用其的薄膜沉積裝置
009 用于薄膜包封的方法和裝置
034 用于薄膜和片材應(yīng)用具有改進(jìn)的應(yīng)力發(fā)白的聚酯共混物
005 用于薄膜晶體液晶顯示器(TFT-LCD)的超薄無堿玻璃基板
030 用于薄膜的增強(qiáng)型氧非理想配比補(bǔ)償
019 用于薄膜鋰離子電池的納米陰極材料及其制備方法
以上44項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)，售價200元，光盤編號：A5000-34813。
免費(fèi)貨到付款。訂購電話：028-81504416 18982190230 15328023369 QQ:89728219
備注：化工、冶金、材料、醫(yī)藥類的技術(shù)包括配方配比，制造工藝，質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和工藝流程等，機(jī)械、設(shè)備、裝置類的資料包括設(shè)計方案，設(shè)計原理，附帶有設(shè)計的結(jié)構(gòu)原理圖紙和圖解說明，所有資料均包括技術(shù)發(fā)明人的姓名、聯(lián)系地址等信息，是企業(yè)和個人了解市場，開發(fā)技術(shù)、生產(chǎn)產(chǎn)品不可多得的參考資料。
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