詳細(xì)信息
配備適用于20mm最大φ8英寸的晶圓，具有最小5微米(MICRON)L/S規(guī)格之等倍投影曝光光學(xué)系統(tǒng)的曝光裝置。
MEMS用途上，配備具有較深度焦點(diǎn)深度（最大±50微米(MICRON)）之USHIO獨(dú)特投影鏡頭，最適合對高低差異基板的曝光、及凹凸基板的曝光，甚至壓膜光阻的曝光。此外，亦可透過背面對位(選購配備)對背面曝光。
特征
- 較深的焦點(diǎn)深度
- 配備具有最大±50μ焦點(diǎn)深度的投影鏡片。
- 高精度校正
- 采用TTL測光方式。
直接使用各個(gè)顯微鏡觀察遮罩/工作記號進(jìn)行校正，因此可執(zhí)行高精確度校正。 - 光罩無損害
- 光罩與作產(chǎn)品完全不接觸，因此不造成損壞，光罩可半永久使用。
- 抗污垢與殘留異物的構(gòu)造
- 可安裝附薄膜的光罩，因此可忽視光罩類型面上的污垢執(zhí)行曝光。 此外，為了在光罩類型面對焦，其構(gòu)造可抗光罩上的污垢。
- 簡易維護(hù)與操作
- 因?yàn)槠毓鈺r(shí)無須驅(qū)動(dòng)，一年一次校正即可。操作與選單管理的重現(xiàn)亦完整。
主要用途
- ·MEMS
- ·3D封裝
- ·重新接線層的曝光
- ·各種電子零件
- ·電源裝置
- ·SU8等壓膜電阻等