品牌:CHINA | 型號:3DJ6G | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:TO-18 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥5.50
應用范圍:功率 | 品牌:CHINA | 型號:3DJ2H | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝 | 封裝材料:金屬封裝
≥10 PCS
¥9.50
品牌:CHINA | 型號:3DJ8H | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥12.50
品牌:CHINA | 型號:3DJ8F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥12.50
品牌:CHINA | 型號:3DJ8K | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥12.50
品牌:CHINA | 型號:3DJ9F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥12.50
品牌:CHINA | 型號:3DJ7H | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥6.50
應用范圍:功率 | 品牌:中芯 | 型號:3DJ7FJ | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 備注:全新原裝 | 封裝材料:金屬封裝
≥10 PCS
¥8.50