應用范圍:放大 | 品牌:LRC/樂山無線 | 型號:LMUN2215LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | LMUN2215LT1G:A8E

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRA766E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRC842E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRA736E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRA728E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRA554E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TESV | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KTX301E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結構:點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TESV | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:DTC143ZE TL | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:* | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:NPN型

應用范圍:功率 | 品牌:AAC | 型號:AZ431LANTR-E1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 類型:通信IC | 批號:2011+ | 封裝:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3DD4 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 擊穿電壓VCBO:23 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:2 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:功率 | 品牌:Zetex/捷特科 | 型號:ZXCT1010E5TA | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT23-5 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOT-153