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孫輝先生13689569363 qq 2877735032
高壓貼片電容應用在LED電源110V或220VAC阻容降壓（可以代替插件CBB電容）
630V 0.1UF 1210封裝 X7R材質(zhì)
630V 0.15UF 1210封裝 X7R材質(zhì)
450V 0.22UF 1210封裝 X7T材質(zhì)
250V 224 1812封裝
250V 334 1812封裝
250V 474 1812封裝
250V 684 1812封裝
250V 105 1812封裝
500V 224 1812封裝
400V 474K 1812封裝 X7R
400V 334K 1812封裝X7R
450V 474 1812封裝 X7T
450V 105 2220封裝 X7T
450V 334K 1812封裝 X7T
以上都為X7R或X7T材質(zhì)，精度為10%耐125度高溫
燈絲LED球泡燈專用電容
SMD高壓貼片電容價格
LED燈絲燈專用高壓陶瓷貼片電容
恒流驅(qū)動電源：
0805 225K 50v X7R
1206 333K 500v X7R
1206 333K 500V X7R
RC電路專用：
1812 104K X7R 630v
1812 224K X7R 500V
1812 334K X7R 450V
1812 474K X7R 450V
1812 564KX7R 400V
1812 684K X7R 400V
1812 824K X7R 400V
1812 105K X7R 400V
IC線性電源方案：
2220 105K X7R 500V
2220 225K X7R 400V
2220 335K X7R 250V
2220 475K X7R 250V
2220 685K X7R 250V
大容量濾波電容：
1812 476 25v
1812 107 16vv
2220 476 50v
2220 107 25v陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢與特性：
下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性 能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同 性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方 法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū) 別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量 就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器 時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
NPO材質(zhì)電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、 釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55°C到+125°C時 容量變化為0±30ppm/°C，電容量隨頻率的變化小于±0.3AC。NPO電容的漂移或 滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量 相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗 隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器
適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
X7R材質(zhì)電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55°C到+125°C時其容量 變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變 化，大約每10年變化1%AC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接 受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
Z5U材質(zhì)電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍， 對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在 相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較 大，它的老化率最大可達每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL)和等效串聯(lián)電阻 (ESR)低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用 中。
Z5U電容器的其他技術指標如下：
工作溫度范圍+10°C…+85°C 溫度特性+22% -56%
介質(zhì)損耗最大4%
Y5V材質(zhì)電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30°C到85°C范圍內(nèi)其容量變 化可達+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7 u F電容器。
Y5V電容器的其他技術指標如下：
工作溫度范圍-30°C…+85°C 溫度特性+22% —-- -82%
介質(zhì)損耗 最大 5%
NPO電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨溫度、時間、電壓的改變而改變,適用于對穩(wěn)定性、
可靠性要求較嚴格的場合,由于電氣性能穩(wěn)定,可很好的工作在高頻、特高頻、甚高 頻頻段;X7R電氣性能較穩(wěn)定,隨溫度、時間、電壓的變化,其特性變化并不明顯,適用于 要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10兆周以下的中頻場合;Y5V具有很高的介電系 數(shù),常用于生產(chǎn)小體積,大容量的電容器,其容量隨溫度改變比較明顯,但成本較低,仍廣 泛用于對容量,損耗要求不高的耦合、濾波、旁路等電路場合.
內(nèi)電極：它與陶瓷介質(zhì)交替疊層，提供電極板正對面積；
PME-Ag/Pd :主要在X7R和Y5V中高壓MLCC產(chǎn)品系列中，材料成本高。
BME-Ni：目前大部分產(chǎn)品均為Ni內(nèi)電極，材料成本低，但需要還原氣氛燒結(jié)。
端電極：
基層：銅金屬電極或銀金屬電極，與內(nèi)電極相連接，引出容量。
阻擋層：鎳鍍層，熱阻擋作用，可焊的鎳阻擋層能避免焊接時Sn層熔落。 焊接層：Sn鍍層，提供焊接金屬層。
3. MLCC的設計制造 A.材料選用
瓷粉:它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素，采用技術不成熟的瓷粉材料會存在重大 的質(zhì)量事故隱患。
進口：北美中溫燒結(jié)瓷粉、日本高溫燒結(jié)瓷粉均較成熟。
國產(chǎn)材料：丨類低K值瓷粉較成熟。
球磨配料：分散、混合二步法保證漿料的分散性。
印刷圖形：獨特的圖形設計，嚴格的銀重控制保證產(chǎn)品性能良好一致性。
高溫燒結(jié)：成熟的燒成工藝，保證瓷體與內(nèi)電極良好共燒。
測試分選：100%的耐壓分選，保證不良品不流到客戶。
4. MLCC的性能
A.常規(guī)電性能
(1)容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容 量誤差有：J級±5%，K級±10%，M級±20%。精密電容器的允許誤差較小，而 電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。常用的電容器其精度等級和電 阻器的表示方法相同。用字母表示：D級一±0.5%; F級一±1%; G級一±2%; J 級一±5%; K 級一±10%; M 級一±20%。
(2)額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流 電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
(3)溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1°C，電容量的相對變化值。溫度 系數(shù)越小越好。
(4)絕緣電阻(IR):用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在 幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大 越好，漏電也小。一般C0G類>1000QF, X7R和Y5V類>500 QF
(5)損耗(DF)：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損 耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。損耗最為標準的寫法: 使用百分率寫法例如：COG要求〈0.015%; X7R〈2.5%; Y5V〈3.5% —般地COG 類 <10*10-4 ; X7R 類 <250*10-4;Y5V 類 <500*10-4
(6)頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電 容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高 而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電 阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器 的使用頻率受到限制。
不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型 瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ; 小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。