品牌:其他 | 型號(hào):LM1881 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 開(kāi)啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5 | 低頻跨導(dǎo):5

產(chǎn)品類(lèi)型:其他 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:SAMSUNG、TDK、村田、風(fēng)華 | 型號(hào):0603 102k 50v | 材料:鍺(Ge) | 封裝:1 | 工作溫度范圍:1（℃） | 功耗:1 | 針腳數(shù):1 | 批號(hào):1

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPC8179TB-E3 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:GE/通用電氣 | 型號(hào):41UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類(lèi)型:軸向引出線 | 耐壓值:500（V） | 額定電壓:220（V） | 溫度系數(shù):-25ºC-+85ºC | 標(biāo)稱(chēng)容量:41

品牌:GE/通用電氣 | 型號(hào):28UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類(lèi)型:軸向引出線 | 耐壓值:500（V） | 標(biāo)稱(chēng)容量:28（uF） | 額定電壓:220（V） | 溫度系數(shù):-25ºC-+85ºC

品牌:GE/通用電氣 | 型號(hào):13uF | 介質(zhì)材料:鋁電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類(lèi)型:軸向引出線 | 耐壓值:500（V） | 標(biāo)稱(chēng)容量:13（uF） | 額定電壓:220（V） | 溫度系數(shù):-25ºC-+85ºC

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:CET/華瑞 | 型號(hào):CEP603AL | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開(kāi)啟電壓:100 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:10 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

品牌:英飛凌 | 型號(hào):IPP100N04S2-04 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5

品牌:萬(wàn)代 | 型號(hào):AOD254 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):12 | 低頻跨導(dǎo):8

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP80NF03L | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW25NM60N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號(hào):FQP4N60C | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):DSE130-06 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

產(chǎn)品類(lèi)型:其他 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:SAMSUNG、TDK、村田、風(fēng)華 | 型號(hào):0402 102k 50V | 材料:鍺(Ge) | 封裝:1 | 工作溫度范圍:1（℃） | 功耗:1 | 針腳數(shù):1 | 批號(hào):1

類(lèi)型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):HCF4001M013TR | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 最大漏極電流:100 | 跨導(dǎo):11 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開(kāi)啟電壓:10 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:100 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):11 | 極間電容:1100 | 最大耗散功率:100

品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號(hào):C4663 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

產(chǎn)品類(lèi)型:光敏二極管 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:立林 | 型號(hào):4748 | 材料:鍺(Ge)

品牌:FAIRCHILD | 型號(hào):FDMS7608S | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專(zhuān)用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:e路航 | 材質(zhì):塑膠+金屬 | 產(chǎn)地:深圳 | 加工定制:是 | 種類(lèi):外置便攜式導(dǎo)航儀 | 適用車(chē)型:所有車(chē) | 屏幕尺寸:7（寸） | 電源電壓:5（V） | 分辨率:800×480 | 接收機(jī):有 | 定位精度:15（m） | 速度精度:20（m/s） | 跟蹤靈敏度:90（dBm） | GPS啟動(dòng)時(shí)間:3 | 存儲(chǔ):512M | 時(shí)間精度:0.5 | 系統(tǒng)通訊距離:無(wú)限 | 型號(hào):E20 | 硬盤(pán):8G

材質(zhì):鈉燈燈具 | 工藝:鈉燈燈具 | 加工定制:否 | 道具種類(lèi):鈉燈燈具 | 是否專(zhuān)利貨源:否 | 顏色:鎮(zhèn)流器，觸發(fā)器，480V電容，580V電容，鈉燈