品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H25R1202 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

類型:其他IC | 品牌:INFINEON | 型號:H20R1202 | 用途:其他 | 封裝:TO-247 | 批號:2014

類型:放大器 | 品牌:全新 | 型號:H20R1202 | 功率:標準 | 特色服務:全新原裝 | 封裝:直插 | 批號:2015年+最新批號

類型:其他IC | 品牌:INFINEON | 型號:H20R1202 | 封裝:TO247 | 批號:others

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

類型:通信IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 電磁爐功率管 | 電源電壓:1 | 功率:1 | 頻率:1 | 用途:線性 | 封裝:TO-247 | 批號:12+

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:20R120 H20R120 H20R1202 H20T120 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:10

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R2 | 封裝形式:TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW20N120R2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

產(chǎn)品類型:功率管 | 是否進口:否 | 品牌:INFINEON | 型號:H20R1202 | 封裝:TO-3P | 工作溫度范圍:1（℃） | 功耗:1 | 針腳數(shù):3 | 批號:14

類型:通信IC | 品牌:INFINEON | 型號:H20R1202 | 功率:0 | 頻率:0 | 封裝:to-247 | 批號:最新

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI)

類型:通信IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 電磁爐功率管 | 電源電壓:1 | 功率:1 | 頻率:1 | 用途:電磁爐 | 封裝:TO-247 | 批號:12+