品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF540NS IRF540NL | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:1 | 型號(hào):IRF540 IRF540N IRF540NPBF | 材料:硅(Si)

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):IRF540 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 質(zhì)優(yōu)價(jià)廉:上機(jī)保證 | 大中小功率三極管:自家現(xiàn)貨

類(lèi)型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF540NPBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:to-220 | 批號(hào):14 | 關(guān)斷速度:普通 | 極數(shù):三極

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF540N | 溝道類(lèi)型:其他 | 類(lèi)型:其他IC | 封裝形式:TO-220 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF540 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:P | 集電極最大耗散功率PCM:P | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大允許電流ICM:P | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:P | 結(jié)構(gòu):合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:P | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:0.85 | 型號(hào):IRF540N | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):IRF540N | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):NP88N03KDG-E1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類(lèi)型:其他IC | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:玻璃封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):FSL11N60C3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝