場效應(yīng)管 STB19NB20T4/B19NB20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630NS

批發(fā)數(shù)量 ≥1000個(gè)
梯度價(jià)格 1.50
型號
STB19NB20T4
品牌
ST/意法
類型
其他IC
用途
SW-REG/開關(guān)電源
最大漏極電流
19A
開啟電壓
2-4
材料
N-FET硅N溝道
溝道類型
N溝道
種類
絕緣柵(MOSFET)
夾斷電壓
0
導(dǎo)電方式
增強(qiáng)型
最大耗散功率
125W

應(yīng)用案例:

類別 離散半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 200V
 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C 19A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 9.5A,10V
輸入電容(Ciss)@Vds 1000pF @ 25V
功率 - 最大 125W
封裝 盤裝
閘電流(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
封裝/外殼 D2PAK TO-263
閘極至源極的電壓(最大Vgs) 30V