品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFBC40ASTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:標準 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 功率:標準 | 批號:最新批號 | 封裝:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7309ITRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 功率:標準 | 批號:標準 | 封裝:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFBC40A FBC40A FBC40LC IRFBC40 IRFBC42 IRG4BC40S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:30EPH06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功耗:30A600V | 產品類型:快恢復二極管 | 針腳數(shù):3

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFU9024N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:IR/國際整流器 | 型號:GIB3506 | 應用范圍:電機 | 整流元件:全橋 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 交流輸入電壓:600（V） | 直流輸出電壓:1000（V） | 直流輸出電流:35（A） | 正向峰值電壓:600（V） | 反向重復峰值電壓:1000（V） | 反向重復峰值電流:11（mA） | 絕緣電壓:1000（V） | 工作結溫:11（℃） | 效率:11（%） | 橋堆:35A600V | 加工定制:否

產品類型:其他 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:SL23-E3/52T | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格

產品類型:其他 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:ES1D-E3/61T | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR460 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:DPAK | 批號:11+ | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 屬性:屬性值

品牌:IR/國際整流器 | 型號:PZTA92T1G | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:PZTA92T1G | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR120N | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-252

品牌:IR/國際整流器 | 型號:FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:20

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR4435TRPBF | 用途:MOS-HBM/半橋組件

品牌:IR/國際整流器 | 型號:BU2520DX | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2155 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:0

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR2905 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大漏極電流:0 | 開啟電壓:0 | 夾斷電壓:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:0 | 低頻跨導:0

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PSH71U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道