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光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像。
光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
光刻膠的應用領域：
模擬半導體（Analog Semiconductors）
發(fā)光二極管（Light-Emitting Diodes LEDs）
微機電系統(tǒng)（MEMS）
太陽能光伏（Solar PV）
微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）
光電子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）
封裝（Packaging）
濰坊星泰克微電子材料有限公司成立于2010年，位于濰坊市高新區(qū)生物醫(yī)藥科技園內。公司由旅美博士Sam Sun和濰坊創(chuàng)新投資管理有限公司共同創(chuàng)立，Sam Sun博士任董事長、總經理。公司專業(yè)從事高性能光刻膠及其配套試劑的研發(fā)、生產和銷售，是濰坊高新區(qū)重點扶持企業(yè)，也是濰坊市定點光刻膠工程技術研發(fā)中心。
公司已經申請多項中國、美國和日本發(fā)明專利，發(fā)現了全新的光敏機理和化學體系。新型光刻膠的分辨率和抗蝕刻性能大幅度高于傳統(tǒng)產品，客戶將明顯受益。
一、有完善的產品開發(fā)配套設施，其中200多平方米100級無塵試驗場地。
二、已建成先進的凈化車間和生產線。
三、光刻膠質量檢測和控制儀器設備齊全。
主要產品一覽 Main Products
SUN-110P正性光刻膠
SUN-110P采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點。配方按i-線光刻優(yōu)化，金屬離子濃度在20ppb以下，可廣泛應用于0.35μm線寬以上的IC及相關半導體制造工藝。
SUN-115P正性光刻膠
SUN-115P采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點。配方按g-線光刻優(yōu)化，金屬離子濃度在20ppb以下，可廣泛應用于IC和LED等制造工藝。
SUN-120P正性光刻膠
SUN-120P采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點。可廣泛應用于LED、LCD、分立器件等制造工藝。
SUN-125PSS正性光刻膠
SUN-125PSS系列有兩款產品，分別按i、g-線光刻優(yōu)化，具有曝光靈敏度高、陡直度高、分辨率高、蝕刻對比度高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點。是PSS干法蝕刻工藝專用光刻膠。
SUN-130P正性光刻膠
SUN-130P紫外正性光刻膠采用安全溶劑。具有粘度高、曝光靈敏度高、對比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點。可廣泛應用于LCD、TFT- LCD、TP以及分立器件等制造工藝。
SUN-120N負性光刻膠
SUN-120N紫外負性光刻膠采用環(huán)保安全溶劑，具有超強粘附性、高穩(wěn)定性、高感光度、高對比度、高分辨率、高產出率及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點?？蓮V泛應用于中小規(guī)模集成電路制造及相關半導體制造工藝，適合用于固化后留在設備中不用去膠的應用工藝。
SUN-8i負性光刻膠
SUN-8i負性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光劑量低、對比度高、分辨率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點，其最大特點是膜厚厚度范圍寬，最高可達100微米以上?？蓮V泛應用于微電子微機械制造及相關半導體制造領域以及需要高深寬比應用的工藝中。
SUN-9i負性光刻膠
SUN-9i負性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光劑量低、對比度高、分辨率高、光刻成品率高、良好的工藝寬容度以及去除性佳等諸多優(yōu)點?？蓮V泛應用于LED、LCD、分立器件等制造工藝。
SUN-lift130剝離光刻膠
SUN-lift130剝離光刻膠適合用堿性顯影液顯影，采用安全溶劑，具有對比度高、分辨率高、附著性佳、易于去除以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點。是lift-off制造工藝的專用光刻膠。
濰坊星泰克微電子材料有限公司
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