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玻璃釉電容
玻璃鈾電容的介質(zhì)是由鈾粉（鈉鈣硅）用一定比例壓制而成，具有較好的電性能，他的制造工藝與瓷介獨石電容相似，穩(wěn)定性比云母電容稍差，但優(yōu)于一般的瓷介電容，特別是獨石玻璃鈾電容在潮濕的環(huán)境中穩(wěn)定性很高。
CI2小型玻璃鈾電容容量在10-3300P之間，使用于晶體管電路及小型電子儀器交流直流脈動電路。
CI3高介陶瓷玻璃鈾電容器：使用于一般容量穩(wěn)定性損耗要求不高的場合。
CI3 損耗《0.055絕緣電阻<1000mohm 容量：4700-3.9UF
允差：+50-20%工作電壓：63V, 40V
CI4高頻陶瓷玻璃鈾電容器：使用于一般高頻電路做震蕩，耦合，旁路用。
CI4 損耗《15*10（-4）絕緣電阻<1000mohm 容量：10-10000P
允差：J,K,M工作電壓：100V