RN1101FT 帶阻尼三極管 NPN 50V 0.1A 4.7K 4.7K SOT-623 TOSHIBA

批發(fā)數(shù)量 ≥3000PCS
梯度價格 0.16
型號
RN1101FT
品牌
TOSHIBA
應用范圍
帶阻尼
材料
硅(Si)
封裝形式
SOT-623/TESM
極性
PNP
基極-發(fā)射極輸入電阻R2
4.7KΩ/Ohm
基極輸入電阻R1
4.7KΩ/Ohm


RN1101FT 帶阻尼三極管 NPN 50V 0.1A 4.7K 4.7K SOT-623 TOSHIBA












型號
Part No.
RN1101FT
絲印/代碼/打字/標記/印記
MARKING Code
XA
廠家
Manufacturer
TOSHIBA
一級分類
1.general categories
三極管
Bipolar Transistor
二級分類
2.subcategories
帶阻尼NPN
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
集電極-基極反向擊穿電壓V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
50V
集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
50V
集電極連續(xù)輸出電流IC
Collector Current(IC)
100mA/0.1A
基極輸入電阻R1
Input Resistance(R1)
4.7KΩ/Ohm
基極-發(fā)射極輸入電阻R2
Base-Emitter Resistance(R2)
4.7KΩ/Ohm
電阻比(R1/R2)
Resistance Ratio
1
直流電流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
30
截止頻率fT
Transtion Frequency(fT)
250MHz
耗散功率Pc
Power Dissipation
0.1W/100mW
封裝
Package/Case
SOT-623/TESM
Description & ApplicationsFeatures
? Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications ? High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. ? Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost. ? Wide range of resistor values are available to use in various circuit designs. ? Complementary to RN2101FT
描述與應用特性
?開關(guān),逆變電路,接口電路和驅(qū)動器電路應用
?高密度安裝是可能因為設備安置非常薄TESM包。
?將偏置電阻晶體管減少了部件數(shù)量。
減少零件計數(shù)使能越來越緊湊設備和制造節(jié)省組裝成本。
?電阻值范圍廣,可使用在各種電路設計。
?對管是RN2101FT