應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KF12N60F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:TO-220IS(1) | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KF3N50P/PZ | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:TO-220AB | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):2N7000K | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:TO-92 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KMB054N40DA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:330 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:DPAK(1) | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:玻璃封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:2

應(yīng)用范圍:微波 | 品牌:KEC | 型號(hào):KDV302E | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:34 | 集電極最大允許電流ICM:24 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:51 | 結(jié)構(gòu):擴(kuò)散型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:12

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KRC106S | 材料:氮(N) | 備注:24 | 15:00 | 用途:30 | 產(chǎn)品類(lèi)型:其他 | 是否進(jìn)口:是 | 主要參數(shù):23 | 加工定制:否

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KTD03N | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:TO-3P-5 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KTB2510 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:TO-3P(N) | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):FQB12N60C3D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:玻璃封裝

類(lèi)型:其他IC | 品牌:艾塞斯 | 型號(hào):IXFX24N100 | 封裝:拆機(jī)/散新 | 批號(hào):TO-247