品牌:NEC | 型號(hào):TEPSLC0J157MH12R | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.1(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):stand(mΩ) | 標(biāo)稱容量:150(uF) | 損耗:stand | 絕緣電阻:stand(mΩ) | 溫度系數(shù):stand
≥100 個(gè)
¥0.98
品牌:NEC | 型號(hào):TEESVA0J226M8R | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.1(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):stand(mΩ) | 標(biāo)稱容量:22(uF) | 損耗:stand | 絕緣電阻:stand(mΩ) | 溫度系數(shù):stand
≥100 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC | 型號(hào):TEESVP1A106M8R | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.1(%) | 耐壓值:10(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):stand(mΩ) | 標(biāo)稱容量:10(uF) | 損耗:stand | 絕緣電阻:stand(mΩ) | 溫度系數(shù):stand
≥100 個(gè)
¥0.22
類型:其他IC | 品牌:NEC | 型號(hào):TEPSLD1A107M(55)12R | 封裝:SMD | 批號(hào):13+
≥500 平方米
¥1.50
類型:其他IC | 品牌:NEC | 型號(hào):TEPSLB20J157M(45)8R | 封裝:SMD | 批號(hào):13+
≥2000 平方米
¥0.80
牌號(hào):ta1 | 產(chǎn)地:湖南株洲 | 鉭含量≥:88(%) | 雜質(zhì)含量:0.01(%) | 重量:30(kg/塊)
≥3000 千克
¥23.00
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):47UF 25V E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):680UF 2.5V E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):68UF 10V B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):330UF 4V C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
類型:存儲(chǔ)器 | 品牌:A | 型號(hào):6032 | 封裝:DIP
≥1 個(gè)
¥0.22
類型:單片機(jī) | 品牌:A | 型號(hào):A | 封裝:DIP
≥1 個(gè)
¥0.09
類型:仿真器 | 品牌:A | 型號(hào):3528 | 封裝:DIP
≥1 個(gè)
¥0.18
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3917 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3940ASA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3757 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3661 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC1843 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3622 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20