CCT貼片電容1206 X7R 50V 4.7UF于迷你平板充電器

批發(fā)數(shù)量 ≥1000PCS
梯度價(jià)格 0.01
型號(hào)
1206 X7R 50V 4.7UF
品牌
CCT宸遠(yuǎn)
介質(zhì)材料
陶瓷(瓷介)
應(yīng)用范圍
濾波
外形
方塊狀
功率特性
中功率
頻率特性
中頻
調(diào)節(jié)方式
固定
引線類(lèi)型
無(wú)引線
允許偏差
±10(%)
耐壓值
400(V)
等效串聯(lián)電阻(ESR)
標(biāo)準(zhǔn)(mΩ)
損耗
標(biāo)準(zhǔn)
額定電壓
50(V)
絕緣電阻
標(biāo)準(zhǔn)(mΩ)
溫度系數(shù)
-55℃~+125℃
標(biāo)稱(chēng)容量
1206 X7R 50V 4.7UF

 
孫輝先生13689569363 qq 2877735032
高壓貼片電容應(yīng)用在LED電源110V或220VAC阻容降壓(可以代替插件CBB電容)
630V 0.1UF 1210封裝 X7R材質(zhì)
630V 0.15UF 1210封裝 X7R材質(zhì)
450V 0.22UF 1210封裝 X7T材質(zhì)  
250V 224 1812封裝
250V 334 1812封裝
250V 474 1812封裝
250V 684 1812封裝
250V 105 1812封裝
500V 224 1812封裝 
400V 474K 1812封裝 X7R
400V 334K 1812封裝X7R
450V 474 1812封裝 X7T  
450V 105 2220封裝 X7T  
450V 334K 1812封裝 X7T 
以上都為X7R或X7T材質(zhì),精度為10%耐125度高溫
燈絲LED球泡燈專(zhuān)用電容
SMD高壓貼片電容價(jià)格
LED燈絲燈專(zhuān)用高壓陶瓷貼片電容
恒流驅(qū)動(dòng)電源:
0805 225K 50v X7R
1206 333K 500v X7R
1206 333K 500V X7R
RC電路專(zhuān)用:
1812 104K X7R 630v
1812 224K X7R 500V
1812 334K X7R 450V
1812 474K X7R 450V
1812 564KX7R 400V
1812 684K X7R 400V
1812 824K X7R 400V
1812 105K X7R 400V
IC線性電源方案:
2220 105K X7R 500V
2220 225K X7R 400V
2220 335K X7R 250V
2220 475K X7R 250V
2220 685K X7R 250V
大容量濾波電容:
1812 476 25v
1812 107 16vv
2220 476 50v
2220 107 25v陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢(shì)與特性:
下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來(lái)介紹一下它們的性 能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。不同的公司對(duì)于上述不同 性能的電容器可能有不同的命名方法,這里我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方 法,其他公司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū) 別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量 就不同,隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器 時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。
NPO材質(zhì)電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、 釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55°C到+125°C時(shí) 容量變化為0±30ppm/°C,電容量隨頻率的變化小于±0.3AC。NPO電容的漂移或 滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量 相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗 隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。NPO電容器
適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。
X7R材質(zhì)電容器
X7R電容器被稱(chēng)為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55°C到+125°C時(shí)其容量 變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變 化,大約每10年變化1%AC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接 受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
Z5U材質(zhì)電容器
Z5U電容器稱(chēng)為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍, 對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對(duì)于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在 相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較 大,它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻 (ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用 中。
Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍+10°C…+85°C 溫度特性+22% -56%
介質(zhì)損耗最大4%
Y5V材質(zhì)電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30°C到85°C范圍內(nèi)其容量變 化可達(dá)+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7 u F電容器。
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍-30°C…+85°C 溫度特性+22% —-- -82%
介質(zhì)損耗 最大 5%
NPO電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨溫度、時(shí)間、電壓的改變而改變,適用于對(duì)穩(wěn)定性、
可靠性要求較嚴(yán)格的場(chǎng)合,由于電氣性能穩(wěn)定,可很好的工作在高頻、特高頻、甚高 頻頻段;X7R電氣性能較穩(wěn)定,隨溫度、時(shí)間、電壓的變化,其特性變化并不明顯,適用于 要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10兆周以下的中頻場(chǎng)合;Y5V具有很高的介電系 數(shù),常用于生產(chǎn)小體積,大容量的電容器,其容量隨溫度改變比較明顯,但成本較低,仍廣 泛用于對(duì)容量,損耗要求不高的耦合、濾波、旁路等電路場(chǎng)合.
內(nèi)電極:它與陶瓷介質(zhì)交替疊層,提供電極板正對(duì)面積;
PME-Ag/Pd :主要在X7R和Y5V中高壓MLCC產(chǎn)品系列中,材料成本高。
BME-Ni:目前大部分產(chǎn)品均為Ni內(nèi)電極,材料成本低,但需要還原氣氛燒結(jié)。
端電極:
基層:銅金屬電極或銀金屬電極,與內(nèi)電極相連接,引出容量。
阻擋層:鎳鍍層,熱阻擋作用,可焊的鎳阻擋層能避免焊接時(shí)Sn層熔落。 焊接層:Sn鍍層,提供焊接金屬層。
3. MLCC的設(shè)計(jì)制造 A.材料選用
瓷粉:它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素,采用技術(shù)不成熟的瓷粉材料會(huì)存在重大 的質(zhì)量事故隱患。
進(jìn)口:北美中溫?zé)Y(jié)瓷粉、日本高溫?zé)Y(jié)瓷粉均較成熟。
國(guó)產(chǎn)材料:丨類(lèi)低K值瓷粉較成熟。
球磨配料:分散、混合二步法保證漿料的分散性。
印刷圖形:獨(dú)特的圖形設(shè)計(jì),嚴(yán)格的銀重控制保證產(chǎn)品性能良好一致性。
高溫?zé)Y(jié):成熟的燒成工藝,保證瓷體與內(nèi)電極良好共燒。
測(cè)試分選:100%的耐壓分選,保證不良品不流到客戶(hù)。
4. MLCC的性能
A.常規(guī)電性能
(1)容量與誤差:實(shí)際電容量和標(biāo)稱(chēng)電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容 量誤差有:J級(jí)±5%,K級(jí)±10%,M級(jí)±20%。精密電容器的允許誤差較小,而 電解電容器的誤差較大,它們采用不同的誤差等級(jí)。常用的電容器其精度等級(jí)和電 阻器的表示方法相同。用字母表示:D級(jí)一±0.5%; F級(jí)一±1%; G級(jí)一±2%; J 級(jí)一±5%; K 級(jí)一±10%; M 級(jí)一±20%。
(2)額定工作電壓:電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作,所承受的最大直流 電壓,又稱(chēng)耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件,耐壓越高,體積越大。
(3)溫度系數(shù):在一定溫度范圍內(nèi),溫度每變化1°C,電容量的相對(duì)變化值。溫度 系數(shù)越小越好。
(4)絕緣電阻(IR):用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在 幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言,絕緣電阻越大 越好,漏電也小。一般C0G類(lèi)>1000QF, X7R和Y5V類(lèi)>500 QF
(5)損耗(DF):在電場(chǎng)的作用下,電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損 耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。損耗最為標(biāo)準(zhǔn)的寫(xiě)法: 使用百分率寫(xiě)法例如:COG要求〈0.015%; X7R〈2.5%; Y5V〈3.5% —般地COG 類(lèi) <10*10-4 ; X7R 類(lèi) <250*10-4;Y5V 類(lèi) <500*10-4
(6)頻率特性:電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電 容器,由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小,電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高 而增加。另外,在高頻工作時(shí),電容器的分布參數(shù),如極片電阻、引線和極片間的電 阻、極片的自身電感、引線電感等,都會(huì)影響電容器的性能。所有這些,使得電容器 的使用頻率受到限制。
不同品種的電容器,最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以?xún)?nèi);圓片型 瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ; 小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。