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半導體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結(jié)，組成一個PNP（或NPN）結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發(fā)射極E和集電極C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
主要參數(shù)
特征頻率fT 當f= fT時，三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT，電路將不正常工作。
工作電壓/電流 用這個參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍。
hFE 電流放大倍數(shù)。
VCEO 集電極發(fā)射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。
PCM 最大允許耗散功率。