詳細(xì)信息
概述:
OHSJ119砷化鎵霍爾元件是一種采用Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)單晶,用離子注入工藝制作的磁電轉(zhuǎn)換元件,可將磁場(chǎng)強(qiáng)度信號(hào)線性地轉(zhuǎn)換成電壓訊號(hào)輸出。
產(chǎn)品特點(diǎn)
線性度優(yōu)良、溫度穩(wěn)定性好、采用微型封裝
典型應(yīng)用
磁場(chǎng)測(cè)量、無(wú)刷電機(jī)、電流傳感器、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、位置控制、轉(zhuǎn)速檢測(cè)
極限參數(shù)
最大控制電流Ii····························10 mA
工作環(huán)境溫度TA···············-55~125℃
貯存溫度范圍TS ················-55~150℃
電特性?。═A=25℃)
參 數(shù) | 符 號(hào) | 測(cè)試條件 | 量值 | 單位 |
霍爾輸出電壓 | VH | Ii=5mA B=100mT | 50~130 | mV |
不等位電壓 | VO/VH | Ii=5mA B=0/ B=100mT | ≤12 | % |
輸入電阻 | Ri | Ii=1mA | 450~900 | Ω |
輸出電阻 | RO | Ii=1mA | 900~1800 | Ω |
VH的溫度系數(shù) | аVH | Ii=5mA B=100mT | -0.07 | %/℃ |
輸入電阻與輸出電阻的溫度系數(shù) | аi,o | Ii=1mA B=0mT | 0.3 | %/℃ |
線性度 | ΔKH | Ii=5mA B=0~300mT | <2 | % |