CREE用于WCDMA 28V 10W射頻功率放大器GaN CGH40010P/F

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Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶片及 RF 通信設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商。典型應(yīng)用包括
  • 雙通道私人電臺
  • 寬帶放大器
  • 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
  • 測試儀器
  • 適于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 類、AB 類線性放大器

Cree RF 器件尤其適用于高功率通信，這得益于我們所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
SiC 具備的固有優(yōu)勢使得寬帶放大器能夠用于 UHF、L 頻段和 S 頻段應(yīng)用。這些特性包括
  • 高導(dǎo)熱性
  • 高擊穿電
  • 高飽和電子漂移速度
  • 高功率密度（每單位柵范圍功率）

這些特點使得 GaN HEMT 成為多倍頻程應(yīng)用中功率 FET 的理想之選，可用于十倍頻程帶寬功率放大器。
 
 
CGH40010P/F是CREE的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管放大器，操作頻率：6GHz，運用于WCDMA和LTE的寬帶放大器。
CGH40010P/F性能特征：
?  Up to 6 GHz Operation
?  16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?  14 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?  13 W typical PSAT
?  65 % Effciency at PSAT
?  28 V Operation
CGH40010P/F應(yīng)用范圍：
?  2-Way Private Radio（雙向私人廣播）
?  Broadband Amplifers （寬帶放大器）
?  Cellular Infrastructure （蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施）
?  Test Instrumentation （測試儀器）
?  Class A, AB, Linear amplifers suitable  for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms 
 
 
 
更多詳情請見：http://www.leadwayic.com.cn/
更多參數(shù)型號選擇：CGH40006P 
CGH40006S
CGH40010F/CGH40010p
CGH40025F/CGH40025p
CGH40035F
CGH40045F
CGH40090PP
CGH40120F
CGH40180PP
CGH55015F2
CGH55030F2
CGHV27200-TB
CGHV27100-TB
CGHV22200-TB
CGHV22200F
CGHV27200F
CGHV22100F
CGHV27100F
CMPA5585025F
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA2560025F