詳細(xì)信息
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。 IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
IGBT模塊的選擇
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。
使用中的注意事項(xiàng)
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：
在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類(lèi)故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。
保管時(shí)的注意事項(xiàng)
一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕; 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方； 保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。
IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應(yīng)用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時(shí)的注意事項(xiàng)對(duì)實(shí)際中的應(yīng)用是十分必要。
發(fā)展歷史
1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT中來(lái)。[2]在那個(gè)時(shí)候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計(jì)。后來(lái)，通過(guò)采用PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)顯著改進(jìn)，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的[3]。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。
90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。
硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通（NPT）結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通（LPT）結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)（SOA）得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類(lèi)似的改善。
這次從穿通（PT）型技術(shù)先進(jìn)到非穿通（NPT）型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（PT）技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面，非穿通（NPT）技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通（NPT）技術(shù)又被軟穿通（LPT）技術(shù)所代替，它類(lèi)似于某些人所謂的“軟穿通”（SPT）或“電場(chǎng)截止”（FS）型技術(shù)，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進(jìn)一步改善。
1996年，CSTBT（載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實(shí)現(xiàn)[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反向?qū)ㄐ汀保鎸?dǎo)型）功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究，以求得進(jìn)一步優(yōu)化。
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線(xiàn)電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。
現(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電路.其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。
ＩＧＢＴ晶體管；串聯(lián)諧振；半可控整流 長(zhǎng)期以來(lái)可控硅中頻電源占領(lǐng)著國(guó)內(nèi)感應(yīng)加熱設(shè)備的主流，它的負(fù)載采用并聯(lián)諧振方式．此種電源具有技術(shù)成熟、負(fù)載匹配方便等優(yōu)點(diǎn)，但由于它的整流部分采用可控硅全控整流方式，所以對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生的諧波污染嚴(yán)重；同時(shí)由于它的負(fù)載是一種電流型諧振方式，電壓低電流大，所以線(xiàn)路損耗比較大。隨著國(guó)家對(duì)治理電網(wǎng)污染和節(jié)能降耗的要求的提出，市場(chǎng)急需一種無(wú)諧波干擾，并且節(jié)能降耗的感應(yīng)加熱設(shè)備來(lái)滿(mǎn)足廣大用戶(hù)要求，我公司根據(jù)目前市場(chǎng)需求組織開(kāi)發(fā)了節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源。 ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）是一種大功率半導(dǎo)體器件，它是一種雙極性絕緣柵晶體管。于８０年代開(kāi)始投入市場(chǎng)。目前世界上主要有以下幾個(gè)廠家：德國(guó)西門(mén)子（ＥＵＰＥＣ）、德國(guó)西門(mén)康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）、日本三菱公司、美國(guó)ＡＢＢ公司，我公司目前采用德國(guó)西門(mén)康公司的ＳⅪ訂５００ＧＡｌ２８ＤＩＧＢＴ模塊。它是一種正溫度系數(shù)的ＩＧＢＴ模塊，有利于并聯(lián)時(shí)均流。１節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源組成 節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源共由四部組成，它們分別為整流、濾波、逆變輸出、熔煉爐體。結(jié)構(gòu)圖如下： 素 Ｃ 節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源各部分工作原理如下： （１）整流部分：ＩＧＢＴ中頻整流采用半可控方式，可控硅僅作開(kāi)關(guān)使用，即每當(dāng)啟動(dòng)設(shè)備時(shí)整流后的電壓總保持５００Ｖ，而不隨功率大小而變化，這樣可大大減小了諧波的產(chǎn)生，減輕了對(duì)電網(wǎng)的諧波干擾。整流控制部分采用ＣＰＬＤ控制，它與ＩＧＢＴ中頻主板之間通過(guò)四根線(xiàn)進(jìn)行連接，其中兩根作為啟動(dòng)整流線(xiàn)，另兩根作為停止、保護(hù)信號(hào)線(xiàn)。 （２）濾波部分：ＩＧＢＴ中頻采用電抗器濾波和電解電容濾波兩種方式，電抗器濾波可使電流連續(xù)。電解電容濾波可使電壓恒定，這樣可保逆變部分得到一個(gè)穩(wěn)定的電壓源和電流源。 （３）ＩＧＢＴ模塊逆變部分：逆變部分采用半橋逆變。逆變器件為ＩＧＢＴ模塊．它是由德國(guó)西門(mén)康公司生產(chǎn)的（ＳＥＭＩＫＲＯＮ），此種模塊為一種正溫度系數(shù)的模塊，即當(dāng)溫度升高時(shí)它的通態(tài)阻抗將增大，這樣有利于均流。 １７８ 李慶新節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源（４）ＩＧＢＴ模塊驅(qū)動(dòng)：驅(qū)動(dòng)部分采用德國(guó)西門(mén)康公司生產(chǎn)的配套驅(qū)動(dòng)板，此種驅(qū)動(dòng)板驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，保護(hù)功能完善，可同時(shí)驅(qū)動(dòng)６塊ＩＧＢＴ模塊，具有過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)功能。高檔次的驅(qū)動(dòng)板是設(shè)備可靠運(yùn)行的有利保障。 （５）驅(qū)動(dòng)電源：驅(qū)動(dòng)電源采用隔離電模塊，即驅(qū)動(dòng)電源的“地”與外部電源是隔離的。這樣可避免外部干擾的影響．有利于設(shè)備的可靠運(yùn)行。 （６）主控板：主控制板由我公司自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)。它具有以下功能 ①脈沖合成功能：主控制板將單路脈沖信號(hào)通過(guò)ＪＫ觸發(fā)器分成兩路脈沖，然合通過(guò)一系列的邏輯門(mén)電路將此信號(hào)合成為兩路對(duì)稱(chēng)的雙路脈沖，兩路脈沖之間的死區(qū)時(shí)間可調(diào)。②頻率跟蹤功能：主控板將槽路信號(hào)與調(diào)功電位器電壓信號(hào)合成一復(fù)合電壓信號(hào)，通過(guò)此電壓信號(hào)控制壓控振蕩器的輸出頻率，從而使線(xiàn)路板上的輸出頻率始終跟隨槽路頻率。說(shuō)明：調(diào)功電位器實(shí)質(zhì)是調(diào)整換流角度。③同步保護(hù)功能：當(dāng)槽路頻率與主控制板上觸發(fā)輸出脈沖頻率不同步時(shí)，設(shè)備功率將自動(dòng)降到最低，這樣有利于保護(hù)設(shè)備。④過(guò)流、限流功能：ＩＧＢＴ中頻主控制板具有兩路過(guò)流和限流功能，一路來(lái)自三相進(jìn)線(xiàn)，另一路來(lái)自感應(yīng)圈。當(dāng)超過(guò)所設(shè)定的電流值時(shí)主控制板將報(bào)過(guò)流故障。并自動(dòng)停止設(shè)備運(yùn)行；當(dāng)輸出電流達(dá)到所規(guī)定的電流時(shí)主控板將進(jìn)行限流狀態(tài)，并使電流穩(wěn)定于所設(shè)定的電流值不變，此時(shí)達(dá)到恒功率運(yùn)行。⑤水溫、水壓保護(hù)功能：ＩＧＢＴ中頻主控板通過(guò)溫度傳感器監(jiān)視循環(huán)水的溫度，當(dāng)水溫超出所規(guī)定的溫度時(shí)主控制板將報(bào)警，同時(shí)自動(dòng)停止設(shè)備運(yùn)行；ＩＧＢＴ中頻主控板同時(shí)具有水壓保護(hù)功能。因ＩＧＢＴ中頻采用內(nèi)外兩個(gè)循環(huán)．所以水壓保護(hù)分為內(nèi)水壓和外水壓報(bào)警，當(dāng)水壓低于設(shè)定的水壓值時(shí)主控板將報(bào)警，同時(shí)自動(dòng)停止設(shè)備運(yùn)行。２節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源性能特點(diǎn) （１）節(jié)能：節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能２５％～２８％，節(jié)能的主要原因有以下幾個(gè)方面：①逆變電壓高，電流小，線(xiàn)路損耗小，此部分可節(jié)能１５％～１８％｝，節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源逆變電壓為２８００Ｖ，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為７５０ Ｖ，電流小了近４倍，線(xiàn)路損耗大大降低；②功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于０．９８，無(wú)功損耗小，此部分可可控硅中頻電源節(jié)能３％～５％。由于節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個(gè)工作過(guò)程功率因數(shù)始終大于０．９８，無(wú)功損耗??；③爐口熱損失少：由予節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快２０ｍｉｎ，２０ｍｉｎ時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過(guò)程的３％，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能３％左右。 節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源與可控硅中頻電源經(jīng)濟(jì)效益對(duì)比表 電源類(lèi)型 電耗 熔化率 節(jié)約電能 節(jié)約電費(fèi) 年產(chǎn)量 經(jīng)濟(jì)效益 ０．５噸可控硅中頻爐 ８５０度／噸 １．５小時(shí)，噸 不節(jié)電 不節(jié)約 １０００噸 無(wú)效益 ０．５噸ＩＧＢＴ晶體管巾頻電源 ６５０度／噸 １小時(shí)／ｏ．５噸 節(jié)電２００度／噸 節(jié)約（Ｏ．５元／度）１００元／噸 １４００噸 １４萬(wàn)元 ０．７５噸以上Ｈ，控硅中頻電源９００度／噸 １．５度／噸 小節(jié)電 不節(jié)約 １０００噸 無(wú)效益 ０．７５噸以上ＩＧＢＴ晶體管中頻電源６００度／噸 １小時(shí)／噸 節(jié)電３００度／噸 節(jié)約（０．５元／度）１５０元／噸 １５００噸 ２２．５萬(wàn)元 （２）無(wú)高次諧波干擾：高次諧波主要來(lái)自整流部分調(diào)壓時(shí)可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，它會(huì)嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致其它電器設(shè)備無(wú)法正常工作，而節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在最高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器，開(kāi)關(guān)不發(fā)熱，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其它電子設(shè)備運(yùn)行。 （３）恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過(guò)程中始終保持恒功率輸出，節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源是唯一實(shí)現(xiàn)恒功率輸出的變頻電源，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素?zé)龘p少。節(jié)能效果更好。降低了鑄造成本。 （４）產(chǎn)品啟動(dòng)性能好：節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源的逆變方式為串聯(lián)逆變，串聯(lián)逆變的其中一個(gè)特點(diǎn)為１００％啟動(dòng)，所以節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源徹底解決了可控硅中頻啟動(dòng)困難的問(wèn)題。不論空載還是滿(mǎn)載均能１００％啟動(dòng)。 １７９ 李慶新節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中攝電源 （５）使用維修方便：節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)清，保護(hù)齊全，具備完備的故障顯示功能能迅速找到故障點(diǎn)．維修方便。３技術(shù)參數(shù)與工作波形 節(jié)能型ＩＧＢＴ晶體管中頻電源（以３００ ｋＷ為例）技術(shù)參數(shù)如下①三相進(jìn)線(xiàn)電壓３８０Ｖ．＠直流電壓５００Ｖ；＠直流電流６００Ａ；④感應(yīng)圈電壓２８００Ｖ：＠中頻頻率２ ｋＨｚ＠熔化率Ｏ ５７ｔ／ｈ；⑦電耗６３０ ｋＷ ｈ／ｔ。 各部分工作渡形如下： ①ＩＧＢＴ觸發(fā)波形： 實(shí)測(cè)照片如下 逆變電壓電流波形圖：測(cè)試方｛擊：采用雙蹤示渡器一路澍逆變輸出電壓。另一路測(cè)互感器采樣波形，實(shí)測(cè)波形如下．電壓超前電流２ ｕｓ，當(dāng)加料時(shí)保證電壓不超前電流，具體渡形如下。