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（5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金
屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)
在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電
容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電
容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。
不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。
測評貼片電容性能，從三個方面進行，首先是貼片電容的四個常規(guī)電性能，即容量Cap. 損耗DF，絕緣電阻IR和耐電壓DBV，一般地，X7R產(chǎn)品的損耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500歐*法，BDV>2.5Ur.其次是貼片電容的加速壽命性能，在125deg.c環(huán)境溫度和2.5Ur直流負載條件下，芯片應能耐100小時不擊穿，質(zhì)量好的可耐1000小時不擊穿。再次就是產(chǎn)品的耐熱沖擊性能，將電容浸入300deg.c錫爐10秒，多做幾粒，顯微鏡下觀察是否有表面裂紋，然后可測試容量損耗并與熱沖擊前對比判別芯片是否內(nèi)部裂紋。 貼片電容在電路上出現(xiàn)問題，有可能是貼片電容本身質(zhì)量不良，亦有可能是設(shè)計時選取規(guī)格欠佳或是在表面貼裝機械力熱沖擊等對貼片電容造成一定的損傷等因素造成
Low Temp. | Symbol | High Temp. | Symbol | Max. Cap .change Over temp. Range (%) | Symbol |
+10 -30 -55 | Z Y X | +45 +65 +85 +105 +125 +150 +200 | 2 4 5 6 7 8 9 | ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82 | A B C D E F P R S T U V |
X5R、X7R、Y5V、Z5U之間的區(qū)別是什么？
區(qū)別主要還在于溫度范圍和容值隨溫度的變化特性
以X7R為例。
X 代表電容最低可工作在 -55℃
7 代表電容最高可工作在 +125℃
R 代表容值隨溫度的變化為 ±15℃
同樣的，Y5V正常工作溫度范圍在-30℃~+85，對應的電容容量變化為+22~－82%；而Z5U 正常工作溫度范圍在+10℃~85℃，對應的電容容量變化為+22~56%
貼片電容的種類和特點
貼片電容的種類和特點
單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是...
單片陶瓷電容器(通稱貼片電容) 目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法， 里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請 照該公司的產(chǎn)品手冊。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
一 NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后
小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封裝DC="50V"DC="100V"
08050.5---1000pF0.5---820pF
12060.5---1200pF0.5---1800pF
1210560---5600pF560---2700pF
22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μF