ST L6562N

批發(fā)數(shù)量 1000-4999 ≥5000
梯度價格 1.10 1.05
型號
L6562N
品牌
ST/意法
種類
絕緣柵(MOSFET)
溝道類型
N溝道
導(dǎo)電方式
耗盡型
用途
L/功率放大
封裝外形
CER-DIP/陶瓷直插
材料
GE-N-FET鍺N溝道
封裝形式
DIP-8
集電極最大允許電流ICM
齊全
截止頻率fT
齊全

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