應用范圍:天線 | 種類:電感線圈 | 品牌:方圓牌射頻線圈 | 型號:多種規(guī)格型號 | 封裝形式:普通電感 | 繞線形式:多層平繞式 | 導磁體性質(zhì):空芯 | 磁芯形狀:空心線圈 | 工作頻率:低頻 | 安裝方式:臥式密封 | 骨架材料:塑料 | 品質(zhì)因數(shù)Q:* | 電感量:* | 允許誤差:* | 感抗XL:*（Ω） | 額定電流:*（mA） | 分布電容:*（F） | 標稱電壓:*（V）

應用范圍:天線 | 種類:磁棒電感 | 品牌:祿牌 | 型號:LP001 | 封裝形式:普通電感 | 繞線形式:單層密繞式 | 導磁體性質(zhì):鐵氧體磁芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:低頻 | 安裝方式:臥式非密封 | 骨架材料:塑料 | 品質(zhì)因數(shù)Q:2 | 電感量:350uH | 允許誤差:3% | 感抗XL:3（Ω） | 額定電流:500（mA） | 分布電容:20（F） | 標稱電壓:12（V）

應用范圍:天線 | 種類:電感線圈 | 品牌:GE福鷹線圈 | 型號:GE133 | 封裝形式:普通電感 | 繞線形式:多層蜂房繞式 | 導磁體性質(zhì):鐵芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:高頻 | 安裝方式:立式密封 | 骨架材料:塑料 | 品質(zhì)因數(shù)Q:3 | 電感量:100MH | 允許誤差:正負3% | 感抗XL:0.3（Ω） | 額定電流:3000（mA） | 分布電容:0.5（F） | 標稱電壓:220（V） | 制造機器:日特

應用范圍:濾波 | 種類:電感線圈 | 品牌:GE | 型號:GE044 | 封裝形式:普通電感 | 繞線形式:多層蜂房繞式 | 導磁體性質(zhì):鐵芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:高頻 | 安裝方式:立式密封 | 骨架材料:塑料 | 品質(zhì)因數(shù)Q:3 | 電感量:100MH | 允許誤差:正負3% | 感抗XL:0.3（Ω） | 額定電流:3000（mA） | 分布電容:0.5（F） | 標稱電壓:220（V） | 制造機器:日特

應用范圍:耦合 | 種類:電感線圈 | 品牌:東芯 | 型號:RF-XQ01 | 繞線形式:多層平繞式 | 類型:非接觸式讀卡 | 屬性:屬性值

應用范圍:天線 | 種類:電感線圈 | 品牌:方圓牌射頻線圈 | 型號:ID卡低頻線圈 | 封裝形式:普通電感 | 繞線形式:多層平繞式 | 導磁體性質(zhì):空芯 | 磁芯形狀:E形 | 工作頻率:低頻 | 安裝方式:臥式密封 | 骨架材料:塑料 | 品質(zhì)因數(shù)Q:* | 電感量:* | 允許誤差:* | 感抗XL:*（Ω） | 額定電流:*（mA） | 分布電容:*（F） | 標稱電壓:*（V）

加工定制:是 | 感應距離:2-8（cm） | 規(guī)格:76*45或按客戶要求（mm） | 芯片:讀寫卡 | 存儲容量:1024/512（bits） | 讀寫時間:1-3（MS） | 封裝材料:PET | 擦寫壽命:100000（次） | 應用范圍:智能卡廠家、電子標簽廠家、智能卡加工廠 | 載波頻率:高頻、超高頻 | 供電方式:無源卡 | 工作溫度:-25°C to + 60°C | 材質(zhì):PET、鋁箔

應用范圍:天線 | 種類:電感線圈 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:SC6121-001★★誠信為本，共創(chuàng)雙贏??！供應全新原裝IC集成電路★★ | 封裝形式:環(huán)氧樹脂電感 | 繞線形式:單層間繞式 | 工作頻率:低頻 | 品質(zhì)因數(shù)Q:0 | 電感量:0 | 允許誤差:0 | 額定電流:0（mA） | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOP

應用范圍:天線 | 種類:電感線圈 | 品牌:宏川 | 型號:03/04/05/06/08/10/12 | 封裝形式:插件電感 | 繞線形式:單層密繞式 | 導磁體性質(zhì):空芯 | 磁芯形狀:工字形 | 工作頻率:高頻 | 安裝方式:立式非密封 | 骨架材料:其他 | 品質(zhì)因數(shù)Q:20 | 電感量:1 | 允許誤差:10% | 感抗XL:20（Ω） | 額定電流:100（mA） | 分布電容:20（F） | 標稱電壓:10（V）

應用范圍:天線 | 種類:共模電感 | 品牌:方圓牌射頻線圈 | 型號:多種規(guī)格型號 | 封裝形式:插件電感 | 繞線形式:單層密繞式 | 導磁體性質(zhì):紙筒芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:低頻 | 安裝方式:立式密封 | 骨架材料:塑料 | 品質(zhì)因數(shù)Q:* | 電感量:* | 允許誤差:* | 感抗XL:*（Ω） | 額定電流:*（mA） | 分布電容:*（F） | 標稱電壓:*（V）