詳細信息
符號參數(shù)值單位
VCBO集電極-基極電壓-40 V
VCEO Collector-Emitter電壓-25 V
VEBO發(fā)射極基極電壓5 V
集成電路的集電極電流-1.5 A
PC收集器功耗300兆瓦
從結(jié)RΘJA熱阻環(huán)境417℃/ W
Tj接點溫度150℃
測試存儲溫度-55 ~ + 150℃
參數(shù)標志最小Typ最大單元測試條件
集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO IC = -100μa,IE = 0 -40 V
Collector-emitter擊穿電壓V(BR)首席執(zhí)行官IC = -0.1 ma,IB = 0 -25 V
發(fā)射極基極擊穿電壓V(BR)公祭IE = -100μa,IC = 0 5 V
收集器截止電流斷路器高級員工= -40 v,IE = 0 -100 nA
收集器截止電流ICEO VCE = -20 v,IB = 0 -100 nA
發(fā)射器截止電流IEBO VEB = 5 v,IC -100 nA = 0
hFE(1)VCE = 1 v,IC馬= -100 120 400
直流電流增益
hFE(2)VCE = 1 v,IC 40 = -800 ma
基極發(fā)射極電壓VBE VCE = 1 V,IC馬= -10 1 V
過渡頻率英尺VCE = -10 v,IC = -50 ma,f = 30 MHz 100 MHz
集電極輸出電容穗軸斷路器= -10 v,IE = 0,f = 1 mhz 20 pF
hFE分類(1)
L H J排名
范圍120 - 200 200 - 350 300 - 400
標記:Y2
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