詳細信息
DCMCE1668 特點：
制造于美國
延伸陰極快速散熱構(gòu)造
具有卓越的性能可選做電源濾波和儲能 例如： –焊機
–不間斷電源系統(tǒng)
–微電腦控制電源
DCMCE1668 規(guī)格說明：
工作溫度范圍：-40°C to +85°C
DC漏電流：充電后5分鐘，圓徑≦88.9mm 最大值6 mA，圓徑≦76.2mm最大值5mA
紋波電流修正系數(shù)：環(huán)境溫度
45°C 55°C 65°C 75°C 85°C
2.24 2.00 1.73 1.41 1.00
EIA紋波電流壽命： 可通過美國 EIA IS-749 85℃2000h 滿載標準 容量的偏差不大于初始值的±20% 等效串聯(lián)電阻 不大于初始規(guī)定值的200% 漏電流不大于初始規(guī)定值 壽命測試： 在85℃及額定電壓4000小時測試 容量的偏差不大于初始值的±20% 等效串聯(lián)電阻 不大于初始規(guī)定值的200% 漏電流不大于初始規(guī)定值 存儲壽命： 在85℃500小時后,容量及等效串聯(lián)電阻及漏電流接近初始要求 震動測試實驗： 10 到55Hz,作用時間6ms ,最大10g ,在2個軸向個1.5小時 本公司主要經(jīng)營美國CDE電容： 無感電容： 941C系列：941C12P1K-F 941C12P15K-F 941C12P22K-F 941C12P33K-F 941C12P47K-F 930C系列：930C12W2K-F 930C12W3K-F 930C12W3-3K-F 930C4W2K-F 930C2W30J-F 930C2W30-1J-F SCT型IGBT突波吸收盒： SCT474K122D3B25-F SCT474K102D3B25-F SCT474K601A3B25-F SCT334K162D3B25-F SCT334K202D3B25-F SCMT型 單個或雙個IGBT突波吸收密封盒裝電容器： SCMT105K601H5N29-F SCMT474K122H8P29-F SCMT334K122H8P28-F SCMT205K122H1P29-F UNL型 鍍金屬聚丙烯電解薄膜電容器： UNL10W10KS-F UNL12W7P5K-F UNL8W15KS-F UNL9W13P5K-F UNL5W35KS-F UNL6W30K-F DCMCE85 oC螺栓式鋁電解電容： DCMCE1647 DCMCE1649 DCMCE1669 DCMCE1671 DCMCE1654 突波吸收和射頻設備，云母電容器：CD16 & CDV16 標準封裝 云母電容：CD10，CD15，CD19，CD30，CD42，CDV19，CDV30型 高頻 云母電容器 ：CD17, CD18 & CDV18 |